LHMS20E0 时间：2025/8/29 20:18:23 阅读：13

LHMS20E0是一款常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关、电源管理和电机控制等领域。这款器件采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，使其在高效率和高性能的应用中表现优异。LHMS20E0采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（典型值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-220

特性

LHMS20E0具备低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的高开关速度使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。此外，LHMS20E0具有较高的热稳定性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其TO-220封装形式提供了良好的散热能力，适合中高功率密度设计。该MOSFET还具备较强的短路耐受能力，提升了系统的可靠性。在栅极驱动方面，LHMS20E0的栅极阈值电压范围适中，便于与常见的PWM控制器或微处理器配合使用。此外，其漏源极之间的雪崩能量耐受能力较强，可以在突发性高压冲击下提供额外的保护。总的来说，LHMS20E0是一款性能稳定、适用范围广的功率MOSFET，适合各种中高功率电子系统的设计需求。