时间：2025/8/27 22:06:04
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LHF400BVE-TL85 是 Rohm（罗姆）公司生产的一款低饱和电压、高效率的 NPN 型晶体管，广泛应用于电源管理、DC/DC 转换器、负载开关、电池充电器等低电压高电流电路中。该晶体管采用 Trench MOS 结构，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合在高效率和小型化电路设计中使用。
类型：NPN 晶体管
最大漏极电流（Id）：4A
漏源击穿电压（Vds）：30V
栅源击穿电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSMT8（热沉外露）
安装类型：表面贴装
功率耗散（Pd）：2.5W（Ta=25°C）
LHF400BVE-TL85 的最大特点是其低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，这使得该器件在高效率电源转换系统中表现出色。该晶体管采用 Rohm 独有的 Trench MOS 技术，实现了在低电压下优异的导通性能和开关性能。其热沉外露的 TSMT8 封装结构有助于提高散热效率，从而在高负载条件下保持稳定工作。
此外，该晶体管具备良好的热稳定性与抗过载能力，能够在较宽的温度范围内可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计，包括由微控制器或 PWM 控制器驱动的应用场景。
LHF400BVE-TL85 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），可减少驱动电路的功耗，适用于高频开关应用。
LHF400BVE-TL85 常用于各类电源管理系统，包括 DC/DC 降压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器以及电机驱动电路等。由于其低导通电阻和高效率特性，该晶体管特别适用于便携式电子设备、笔记本电脑、服务器电源模块、工业控制设备以及车载电子系统中的功率管理模块。
SiSS62DN、FDMS86101、NTMFS5C428NLT、FDMS86180
