LHF400BVE-TL85 是 Rohm(罗姆)公司生产的一款低饱和电压、高效率的 NPN 型晶体管,广泛应用于电源管理、DC/DC 转换器、负载开关、电池充电器等低电压高电流电路中。该晶体管采用 Trench MOS 结构,具有低导通电阻和高电流承载能力,适合在高效率和小型化电路设计中使用。
类型:NPN 晶体管
最大漏极电流(Id):4A
漏源击穿电压(Vds):30V
栅源击穿电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):23mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TSMT8(热沉外露)
安装类型:表面贴装
功率耗散(Pd):2.5W(Ta=25°C)
LHF400BVE-TL85 的最大特点是其低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,这使得该器件在高效率电源转换系统中表现出色。该晶体管采用 Rohm 独有的 Trench MOS 技术,实现了在低电压下优异的导通性能和开关性能。其热沉外露的 TSMT8 封装结构有助于提高散热效率,从而在高负载条件下保持稳定工作。
此外,该晶体管具备良好的热稳定性与抗过载能力,能够在较宽的温度范围内可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路设计,包括由微控制器或 PWM 控制器驱动的应用场景。
LHF400BVE-TL85 还具备快速开关特性,有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。同时,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),可减少驱动电路的功耗,适用于高频开关应用。
LHF400BVE-TL85 常用于各类电源管理系统,包括 DC/DC 降压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器以及电机驱动电路等。由于其低导通电阻和高效率特性,该晶体管特别适用于便携式电子设备、笔记本电脑、服务器电源模块、工业控制设备以及车载电子系统中的功率管理模块。
SiSS62DN、FDMS86101、NTMFS5C428NLT、FDMS86180