类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：50V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Vgs=10V）
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值0.44Ω（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-223
　　功率耗散（Pd）：2W
　　热阻（RθJA）：625°C/W

LH8050PLT1G的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为0.44Ω，使得该器件在中高功率应用中表现出色。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在连续工作状态下支持高达10A的漏极电流。这种高电流能力使其适用于需要较高功率输出的电路，如电机驱动、电源开关和电池管理系统。
　　此外，LH8050PLT1G采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。这种封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接，适用于大批量应用。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备优异的热稳定性，可在各种环境条件下可靠运行。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子、消费类电源管理等领域。
　　栅源电压容限为±20V，使得该MOSFET在驱动电路设计中具有较高的灵活性，可兼容多种控制信号源。

LH8050PLT1G广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效能和紧凑设计的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于中低功率的升降压转换器、同步整流器等电路。
　　在电源管理系统中，LH8050PLT1G常用于负载开关、电池保护电路以及电源路径管理。其快速开关特性和低损耗特性有助于延长电池寿命并提高系统效率。
　　此外，该器件也适用于电机控制应用，如小型直流电机或步进电机的驱动电路。其高电流承受能力和良好的热稳定性使其在频繁启停或重载条件下仍能保持稳定工作。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中，LH8050PLT1G可用于电源管理、LED背光驱动、USB电源开关等应用。

Si2302DS、IRLML6401、FDS6680、FDV301N、AO3400