类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：10A
　　导通电阻 Rds(on)：28mΩ（典型值）
　　功率耗散：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP8

LH5G85TN 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），典型值为 28mΩ，这有助于减少导通损耗并提高能效。其次，该器件的最大漏源电压为 30V，最大栅源电压为 ±20V，能够在较宽的电压范围内稳定运行。LH5G85TN 的最大连续漏极电流为 10A，适合中高功率应用。此外，该器件采用 SOP8 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。LH5G85TN 的功率耗散为 2W，能够在较高温度环境下保持良好的热稳定性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业级应用场景。该 MOSFET 还具备良好的开关性能，适合高频开关电源设计，减少了对外部滤波元件的需求，提高了系统的整体效率。LH5G85TN 在设计上优化了热阻特性，有助于快速散热，从而延长器件寿命并提高可靠性。

LH5G85TN 常用于多种电子设备中，尤其是在需要高效功率转换的场合。其主要应用包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备以及电机驱动电路。在 DC-DC 转换器中，LH5G85TN 的低导通电阻和高频开关特性能够显著提升转换效率，同时减小电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。在电池供电设备中，该 MOSFET 可用于高效管理电源分配，延长电池续航时间。此外，LH5G85TN 也适用于工业自动化设备、通信设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。

Si2302DS, FDMS86101, AO4406A