LH5359NN-80 时间：2025/8/27 18:22:42 阅读：8

LH5359NN-80 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 CMOS 型静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件以其高速访问时间、低功耗和高可靠性而著称，广泛用于需要快速数据访问和临时数据存储的应用场景。这款SRAM芯片采用标准的封装形式，便于在各种电子系统中集成。LH5359NN-80 提供了容量为8K x 8位的存储空间，适用于工业控制、通信设备、测试仪器和嵌入式系统等领域。

参数

容量：8K x 8位
　　访问时间：55ns（最大）
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28引脚 SSOP
　　输入/输出电平：CMOS 兼容
　　最大工作电流：100mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）

特性

LH5359NN-80 SRAM 芯片具有多项优异的性能特点。其高速访问时间为55ns，确保了快速的数据读写能力，满足高性能系统的需求。
　　该器件采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗仅为10mA，有助于延长电池供电设备的使用时间。
　　其电源电压范围为4.5V至5.5V，适应不同电源环境，增强了系统的兼容性和稳定性。
　　LH5359NN-80 支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），能够在恶劣环境下可靠运行，适用于工业控制和户外设备等应用。
　　此外，该芯片采用28引脚SSOP封装，节省空间，便于在紧凑型电路板上布局。
　　由于其CMOS工艺制造，该SRAM具备抗干扰能力强、功耗低、稳定性高等优点。

应用

LH5359NN-80 SRAM 芯片适用于多种电子系统设计，尤其是在需要快速访问临时数据的场景中表现出色。常见应用包括工业自动化控制系统，如PLC和数据采集模块，用于存储程序变量和临时数据。
　　在通信设备中，该芯片可用于缓存数据包、存储配置信息或作为缓冲区，提升系统的响应速度和处理能力。
　　测试与测量仪器中，LH5359NN-80 可用于存储测量结果、临时运算数据和校准参数。
　　嵌入式系统和微控制器系统中，该SRAM芯片常作为外部高速缓存，用于提升主控芯片的数据处理效率。
　　此外，LH5359NN-80 还可用于智能卡终端、网络设备和消费类电子产品中，为系统提供稳定可靠的高速存储支持。