LH5359NK 时间：2025/8/27 16:31:18 阅读：9

LH5359NK是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池供电设备。LH5359NK采用了先进的沟槽式MOSFET制造技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其封装形式为SOP（小外形封装），便于在PCB上安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP8

特性

LH5359NK具有优异的导通性能和快速的开关特性，适用于高效率的功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的栅极驱动电压，适用于多种驱动电路设计。其高耐压能力（Vds=30V）使其在中低功率应用中表现出色。
　　内部结构采用了先进的沟槽式工艺，提高了电流密度和导通性能，同时降低了开关损耗。这种结构设计也增强了器件的稳定性和可靠性。
　　LH5359NK的SOP8封装形式提供了良好的散热性能，同时减小了PCB布局的空间需求，适合高密度电路设计。