时间：2025/8/28 9:39:35
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LH52B256N-70LL 是一款由 Sharp（夏普）公司生产的高速 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），其容量为 256Kbit，组织形式为 32K x 8 位。该器件以其高速访问时间、低功耗以及可靠性广泛应用于各种需要快速数据访问的电子系统中，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等多个领域。
类型: 静态随机存取存储器（SRAM）
容量: 256Kbit（32K x 8）
访问时间: 70ns
工作电压: 5V
封装类型: 28引脚 DIP
温度范围: 工业级（-40°C 至 +85°C）
功耗（典型值）: 220mA（运行模式）
待机电流: 10mA
LH52B256N-70LL 是一款高性能的 SRAM 芯片，具备高速数据访问能力，访问时间仅为 70ns，适用于对响应速度有较高要求的应用场景。该芯片采用 CMOS 技术制造，具备较低的静态功耗和运行功耗，有助于降低整体系统的能耗。LH52B256N-70LL 的工作电压为 5V，兼容 TTL 电平，便于与多种数字系统集成。芯片的封装形式为 28 引脚 DIP，适合插件安装，也便于在原型设计和小批量生产中使用。
该芯片的存储容量为 256Kbit，以 32K x 8 的形式组织，适合需要中等容量高速缓存的应用。LH52B256N-70LL 支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），可在较为恶劣的环境条件下稳定工作，因此广泛应用于工业控制、嵌入式系统和通信设备等领域。此外，该芯片具备高抗干扰能力和数据保持稳定性，适用于对数据可靠性要求较高的场合。
LH52B256N-70LL 被广泛应用于需要快速数据存储和访问的各类电子系统。其典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备的临时数据存储、通信模块中的数据缓冲区以及消费类电子产品中的图形数据存储等。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于需要频繁读写操作的场景，如打印机、扫描仪、图像处理设备及网络路由器等。此外，LH52B256N-70LL 也适用于各种需要高速缓存的微控制器系统和 FPGA 配置存储应用。
ISSI IS62C256AL-70TLI, Cypress CY62256NLL-70SXI, Microchip 23K256-I/P
