LH52B256N-10TLL 时间：2025/8/28 10:04:45 阅读：21

LH52B256N-10TLL 是一款由 Sharp（夏普）公司生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8）。该芯片广泛应用于需要高速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块和消费电子产品中。LH52B256N-10TLL采用CMOS技术制造，具备低功耗和高速访问的特性，访问时间仅为10ns，适用于高性能系统设计。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　组织方式：x8
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：28
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 70°C）
　　读写模式：异步
　　最大读取电流：160mA
　　最大待机电流：10mA

特性

LH52B256N-10TLL 采用高速CMOS工艺制造，具备出色的读写性能和稳定性。其10ns访问时间使其适用于需要快速数据响应的应用场景，如缓存、图形处理器缓冲区、工业控制器等。该芯片支持异步操作，简化了与主控器的接口设计。此外，它在待机模式下功耗极低，有助于延长便携式设备的电池寿命。
　　LH52B256N-10TLL 的TSOP封装形式体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其电气特性稳定，支持宽范围的输入电压容限，提高了在不同工作环境下的可靠性。该芯片还具备较强的抗干扰能力，适合在工业环境中使用。此外，该SRAM无需刷新操作，相比DRAM，其使用更为简单，且数据保持时间长，适用于关键数据的临时存储。

应用

LH52B256N-10TLL 适用于多种嵌入式系统和工业电子设备。典型应用包括：微控制器系统的外部高速缓存、网络设备中的数据缓冲区、图形控制器中的帧缓存、测试仪器的数据暂存器、打印机缓存、POS终端设备以及各种通信模块。由于其高速访问能力和低功耗特性，它也常用于便携式电子设备中以提升系统性能并延长电池寿命。