LH52B256N-10TLL 是一款由 Sharp(夏普)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K位(32K x 8)。该芯片广泛应用于需要高速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块和消费电子产品中。LH52B256N-10TLL采用CMOS技术制造,具备低功耗和高速访问的特性,访问时间仅为10ns,适用于高性能系统设计。
容量:256K位(32K x 8)
组织方式:x8
电源电压:5V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
引脚数:28
工作温度范围:商业级(0°C 至 70°C)
读写模式:异步
最大读取电流:160mA
最大待机电流:10mA
LH52B256N-10TLL 采用高速CMOS工艺制造,具备出色的读写性能和稳定性。其10ns访问时间使其适用于需要快速数据响应的应用场景,如缓存、图形处理器缓冲区、工业控制器等。该芯片支持异步操作,简化了与主控器的接口设计。此外,它在待机模式下功耗极低,有助于延长便携式设备的电池寿命。
LH52B256N-10TLL 的TSOP封装形式体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。其电气特性稳定,支持宽范围的输入电压容限,提高了在不同工作环境下的可靠性。该芯片还具备较强的抗干扰能力,适合在工业环境中使用。此外,该SRAM无需刷新操作,相比DRAM,其使用更为简单,且数据保持时间长,适用于关键数据的临时存储。
LH52B256N-10TLL 适用于多种嵌入式系统和工业电子设备。典型应用包括:微控制器系统的外部高速缓存、网络设备中的数据缓冲区、图形控制器中的帧缓存、测试仪器的数据暂存器、打印机缓存、POS终端设备以及各种通信模块。由于其高速访问能力和低功耗特性,它也常用于便携式电子设备中以提升系统性能并延长电池寿命。
AS7C3256N-10TCN, CY62148E, IDT71V016S