存储容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：标准TSOP
　　数据保持电压：1.0V
　　最大工作电流：100mA（典型值）

LH52B25690LL 是一款高性能的SRAM芯片，具备快速的访问速度和低功耗特性。其访问时间仅为10ns，适合对响应时间要求较高的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和稳定性，适用于各种工业环境。
　　该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同电压供电条件下都能稳定运行，增强了其适应性。同时，LH52B25690LL 的数据保持电压低至1.0V，在低功耗待机模式下仍能保持数据不丢失，适用于电池供电或需要节能设计的设备。
　　LH52B25690LL 采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸，便于在空间受限的电路板上布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够满足工业级应用对温度适应性的需求，适用于各种恶劣环境。
　　该芯片支持异步操作模式，提供独立的地址线和数据线，便于与微处理器或控制器进行接口。其控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持灵活的读写操作控制。

LH52B25690LL SRAM芯片广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中，它可作为高速缓存或临时数据存储器，提高系统运行效率。在工业控制系统中，该芯片的稳定性和宽温特性使其适用于PLC、传感器节点和数据采集设备。
　　在网络通信设备中，LH52B25690LL 可用于缓存数据包或存储临时通信数据，提高数据传输效率。在消费类电子产品中，如数码相机、便携式游戏机和智能家电中，该芯片可用于临时存储运行数据，提高设备响应速度。
　　此外，LH52B25690LL 还可用于测试设备、测量仪器、医疗电子设备等高可靠性应用场景，提供稳定的数据存储支持。

IS61LV25616A-10T、CY62148EVLL、AS7C3256-10TC、IDT71V416S、M5M525690LL