LH52B256-7是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为256Kbit(32K x 8)。该芯片广泛用于需要高性能和低功耗的应用中,例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。由于其高速存取能力和稳定性,LH52B256-7常被用作缓存或临时数据存储器。
容量:256Kbit(32K x 8)
电源电压:5V
访问时间:70ns(最大)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:28引脚SSOP
输入/输出电平:TTL兼容
功耗:典型值100mA(待机模式下小于10mA)
LH52B256-7 SRAM芯片具备高速存取能力,访问时间仅为70ns,适用于对响应速度有较高要求的系统。其低功耗设计支持待机模式,在不使用时可显著降低功耗,延长设备电池寿命。芯片采用工业级温度范围设计,可在严苛环境下稳定运行。此外,该芯片的TTL兼容接口使其能够轻松集成到多种电路设计中,无需额外的电平转换器。28引脚SSOP封装形式节省了PCB空间,适用于高密度电路板布局。
LH52B256-7 SRAM芯片主要应用于嵌入式系统、工业控制器、通信设备、数据采集模块以及需要高速缓存的电子设备中。它也常用于需要非易失性存储器缓存的场合,如智能卡读写器、医疗仪器和自动化控制设备。在这些应用中,LH52B256-7提供了可靠的高速数据存储解决方案。
LH52B256-10
AS7C256A-7TC-GTR
CY62148EVLL-70ZE3