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LH5168T-10L 发布时间 时间:2025/8/27 15:18:45 查看 阅读:15

LH5168T-10L是一款由美国国家半导体(National Semiconductor)推出的双极型高速静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)。该器件具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。该SRAM芯片的容量为16K x 8位,即总共128K位的存储空间,采用CMOS工艺制造,并兼容TTL电平,使其能够广泛应用于多种系统设计中。

参数

容量:16K x 8位
  访问时间:10 ns
  电源电压:5V
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  封装形式:28引脚 DIP
  输入/输出电平:TTL兼容
  功耗:典型工作电流约120 mA
  数据保持电流:约10 mA

特性

LH5168T-10L具备高速访问能力,其最大访问时间仅为10纳秒,适用于高速缓存或实时系统中的数据存储需求。该芯片采用低功耗CMOS工艺,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长系统运行时间并减少热量产生。此外,其TTL电平兼容性使其能够与多种数字逻辑电路无缝对接,无需额外电平转换器。LH5168T-10L还具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业环境中的嵌入式控制系统和数据采集设备。在封装方面,28引脚DIP封装便于手工焊接和原型开发,非常适合工程样机的设计和测试。
  LH5168T-10L的内部结构采用双端口设计,使得地址和数据总线能够独立操作,从而提升整体系统的数据吞吐量。此外,该器件支持异步读写操作,使得其能够灵活适应不同的总线时序需求。在数据保持模式下,仅需维持较低的电流即可保留存储内容,适用于需要低功耗待机的电池供电设备。

应用

LH5168T-10L广泛应用于需要高速数据存储的场合,如嵌入式控制器、工业自动化系统、通信设备、测试仪器以及高速缓冲存储器模块。由于其高速度和低功耗的特性,它也常被用于实时系统中的临时数据存储和高速数据交换。此外,该芯片也可作为微处理器或数字信号处理器(DSP)的本地存储器,用于提高数据访问效率和系统响应速度。

替代型号

CY62167EVAL143ZXC, IS62WV16168ALLBIRI-10MLI, IDT7168SA12PF

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