LH5160N-10TL 时间：2025/8/28 0:24:13 阅读：20

LH5160N-10TL 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 专为高效率、高功率密度的应用设计，具有较低的导通电阻和较高的开关性能。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 23mΩ（在 VGS=10V 时）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

LH5160N-10TL 具备出色的导通性能和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件支持高达 60A 的漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作。此外，其 100V 的漏极-源极击穿电压使其适用于多种中高功率电源转换系统。
　　TO-252 封装具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率并降低 PCB 布局复杂度。该 MOSFET 内置的栅极保护二极管能够有效防止静电击穿，提升器件的可靠性与耐用性。此外，LH5160N-10TL 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合在工业级和汽车电子等严苛环境中使用。

应用

LH5160N-10TL 主要应用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流承载能力和良好的热性能使其成为车载电源系统、服务器电源、UPS（不间断电源）以及高效率 AC-DC 转换器的理想选择。