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LH5160N-10TL 发布时间 时间:2025/8/28 0:24:13 查看 阅读:12

LH5160N-10TL 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 专为高效率、高功率密度的应用设计,具有较低的导通电阻和较高的开关性能。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,适用于表面贴装技术(SMT),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):60A
  漏极-源极击穿电压(VDS):100V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大 23mΩ(在 VGS=10V 时)
  功耗(PD):100W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:TO-252(DPAK)

特性

LH5160N-10TL 具备出色的导通性能和较低的开关损耗,适用于高频开关应用。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件支持高达 60A 的漏极电流,能够在高负载条件下稳定工作。此外,其 100V 的漏极-源极击穿电压使其适用于多种中高功率电源转换系统。
  TO-252 封装具备良好的散热性能,适合表面贴装工艺,有助于提高生产效率并降低 PCB 布局复杂度。该 MOSFET 内置的栅极保护二极管能够有效防止静电击穿,提升器件的可靠性与耐用性。此外,LH5160N-10TL 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适合在工业级和汽车电子等严苛环境中使用。

应用

LH5160N-10TL 主要应用于各类电源管理系统,如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流承载能力和良好的热性能使其成为车载电源系统、服务器电源、UPS(不间断电源)以及高效率 AC-DC 转换器的理想选择。

替代型号

SiHH60N100E、IPB60N100CFD、FDP60N100

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