时间：2025/8/28 0:49:59
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LH5116NA-10F 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 CMOS 型静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件通常用于需要高速数据存储和访问的应用中，具有低功耗、高速度和高可靠性等特点。该芯片采用 28 引脚 DIP（双列直插式封装）或 SOP（小外形封装）形式，适合于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中使用。LH5116NA-10F 是一款 16K x 1 位的 SRAM，访问时间可达 100 ns，适用于对速度要求较高的场合。
容量：16K x 1 位
组织结构：16K x 1
电压：5V 工作电压
访问时间：100 ns（最大）
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装形式：28 引脚 DIP 或 SOP
功耗：典型值 150 mA（待机模式下小于 10 mA）
接口类型：并行接口
读取电流：最大 150 mA
待机电流：最大 10 mA
LH5116NA-10F 是一款高性能的静态随机存储器（SRAM），具备低功耗和高速度的特性。其工作电压为标准 5V，适用于多种数字电路设计。该芯片的访问时间为 100 ns，意味着它可以在较高频率下运行，适合需要快速读写的应用场景。
这款 SRAM 芯片采用 CMOS 技术制造，确保了低功耗运行，并在待机模式下进一步减少能耗，非常适合电池供电或对能耗敏感的设备。
从封装角度来看，LH5116NA-10F 提供 28 引脚 DIP 和 SOP 两种封装方式，便于在不同的 PCB 设计中灵活使用。其工作温度范围为商业级 0°C 至 +70°C，适合大多数工业和通信设备。
在电气特性方面，LH5116NA-10F 的最大读取电流为 150 mA，而在待机状态下的电流消耗则小于 10 mA，这使其在功耗控制方面表现出色。此外，该芯片具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境中可靠运行。
该器件的并行接口设计使其可以直接连接到微处理器或控制器的地址和数据总线上，简化了系统设计并提高了数据传输效率。此外，LH5116NA-10F 还具备自动地址锁存功能，有助于提高系统集成度和稳定性。
LH5116NA-10F 适用于各种需要高速缓存和数据存储的电子设备，包括嵌入式系统、工业控制设备、测量仪器、网络设备和通信模块。该芯片也常用于老式计算机系统、数据采集系统以及需要非易失性缓存的场景。由于其低功耗和高速性能，LH5116NA-10F 也广泛应用于电池供电设备和便携式电子设备中。
HM62256A-10T, CY62256NLL-55SXC, IS62C256AL-10T
