时间：2025/8/28 23:01:34
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LH5116NA-10 是一款由日本Rohm（罗姆）公司生产的16位静态随机存取存储器（SRAM），采用高速CMOS技术制造，适用于需要高速存储器的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片的容量为2K x 8位，提供快速的访问时间和低功耗特性，适合用作高速缓存、数据缓冲器或临时数据存储。其封装形式为标准的28引脚DIP（双列直插式封装），便于插拔和焊接。
容量：2K x 8位
工作电压：4.5V 至 5.5V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装类型：28引脚 DIP
输入/输出电平：CMOS/TTL兼容
待机电流：最大10mA
数据保持电流：最大5mA
LH5116NA-10 是一款高性能的SRAM芯片，其主要特点包括高速访问时间（最大10ns），能够在5V电源下稳定工作，并且具有CMOS/TTL兼容的输入/输出电平，方便与多种控制器和外围设备进行接口。芯片内部采用低功耗设计，在待机模式下仅消耗最大10mA的电流，而在数据保持模式下电流更低至5mA，有助于降低系统整体功耗。
此外，LH5116NA-10 的工作温度范围为0°C至70°C，适用于大多数商业和工业应用环境。其标准28引脚DIP封装结构便于安装在实验板或PCB上，适合原型设计和小批量生产使用。该芯片无需刷新操作，数据存储稳定可靠，适用于需要频繁读写或实时数据处理的场景，如工业控制、通信设备、测量仪器和嵌入式系统等。
由于其高速和低功耗特性，LH5116NA-10 可以作为微控制器、DSP（数字信号处理器）或FPGA（现场可编程门阵列）的外部高速缓存或数据缓冲器，提升系统的响应速度和运行效率。
LH5116NA-10 主要应用于需要高速数据存储的场合，如工业自动化控制系统、嵌入式设备、测量仪器、数据采集系统、通信模块以及小型计算机系统等。该芯片可作为主控制器的外部存储器，用于临时存储程序变量、采集数据或缓存处理结果。由于其快速访问时间和低功耗特性，特别适用于对实时性要求较高的设备，如医疗仪器、测试设备和工业监控系统。此外，该芯片也常用于教育和研发领域，作为学生实验平台或工程师原型设计中的关键存储元件。
AS6C6216-10LLN-BLL、CY62167ED10LL-55B6、IDT71V128SA10YI、IS62C1024ALBLL-10N
