时间：2025/8/29 17:27:44
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LH5116D10 是一款由美国国家半导体公司（National Semiconductor）推出的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有高速访问特性和低功耗设计，适用于需要快速数据存储和读取的应用场景。
容量：16K x 4位
电源电压：5V
访问时间：10ns（最大）
封装形式：28引脚DIP或SOIC
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
输入/输出电平：TTL兼容
功耗：典型值约150mA
LH5116D10是一款高速SRAM芯片，其主要特性包括快速的10ns访问时间，确保在高频系统中实现高效的数据处理能力。芯片内部采用双译码结构，优化了地址访问的延迟，同时具备低待机电流，有助于降低整体系统功耗。其TTL兼容接口设计简化了与多种微处理器和控制器的连接。LH5116D10还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适合在工业环境和恶劣条件下使用。此外，其28引脚封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适合用于紧凑型设计。
LH5116D10在设计上采用了先进的CMOS工艺，不仅提升了芯片的集成度，还降低了功耗。其高可靠性和稳定性使其成为各种嵌入式系统、通信设备和工业控制设备中的理想选择。该芯片还支持多种工作模式，包括待机模式和正常工作模式，用户可以根据系统需求灵活切换，以优化功耗与性能之间的平衡。此外，LH5116D10具备宽泛的工作温度范围，适应各种环境条件下的稳定运行。
LH5116D10 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景，例如嵌入式系统、微控制器单元（MCU）外扩内存、通信设备、工业控制系统、测试仪器以及图形显示控制器等。由于其高速访问能力和低功耗特性，也常用于需要频繁读写操作的数据缓冲应用。
CY62167EVLL-SZ10, IDT71V416SA10PFG, AS6C6216-10LIN
