容量：128K x 8 位
　　电压范围：5V ± 10%
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装类型：32引脚 DIP、TSOP、SOJ
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：依据封装类型不同而不同
　　封装引脚数：32
　　读写操作支持：异步
　　数据保持电压：最小 2V
　　功耗：典型 150mA（运行模式）
　　待机电流：最大 10mA

LH511610 SRAM 芯片采用了先进的 CMOS 技术，确保了高速的数据访问能力，访问时间低至 10ns，能够满足高性能系统的存储需求。其异步接口设计兼容多种标准微处理器总线，便于系统集成。此外，该芯片具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携设备的电池寿命。LH511610 还具有良好的抗干扰能力和宽泛的工作温度范围，适用于各种工业环境下的稳定运行。
　　该芯片的128KB存储容量对于需要中等规模高速缓存的应用来说非常合适，例如作为缓存存储器、帧缓冲器或临时数据存储区域。LH511610 提供多种封装形式，包括双列直插式（DIP）、薄型小外形封装（TSOP）和小外形J形引脚封装（SOJ），满足不同PCB设计和安装方式的需求。

LH511610 主要用于嵌入式控制系统、通信模块、网络设备、测试仪器、图形显示控制器以及老式个人计算机和游戏主机中的高速缓存。在工业自动化设备中，它可作为高速数据缓冲区，用于提高系统响应速度和数据处理效率。此外，该芯片也常用于需要高可靠性和长期稳定性的工业和军事级应用中。

LH511610B-10LL、LH511610B-10LJ、LH511610B-10LS、CY62148BLL-45ZS、IS61LV128AL-10BLI、AS6C1008-10LLN-BL