容量：8Mbit（1M x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　读取电流（最大）：180mA
　　待机电流（最大）：10mA

LH28F800SUHT-ZA具备多项高性能特性，首先是其高速访问时间仅为55ns，这使得该SRAM非常适合需要快速数据访问的应用场景。其工作电压范围为2.3V至3.6V，支持宽电压操作，增强了其在不同系统中的兼容性。此外，该芯片的待机电流非常低，最大仅为10mA，因此非常适合需要节能设计的应用，如便携式设备和电池供电系统。
　　这款SRAM采用CMOS技术，确保了低功耗和高噪声免疫性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业环境和高温条件下使用。封装形式为54引脚TSOP，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
　　为了提高系统的可靠性，LH28F800SUHT-ZA采用了先进的制造工艺，并具备出色的抗干扰能力。此外，其输出可以直接与各种微处理器和控制器接口，简化了系统设计。该器件还具备自动断电功能，在未被访问时可自动进入低功耗模式，从而进一步延长电池寿命。

LH28F800SUHT-ZA广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业设备中，例如网络路由器、交换机、数据通信设备、测试仪器、医疗设备以及工业控制模块。由于其低功耗和高速特性，它也常用于便携式电子产品和电池供电系统中。此外，该SRAM还可用于需要缓存存储或临时数据存储的场合，如图像处理、数据缓冲、网络协议处理等领域。

IS61LV10248ALL55BGI-PLUS, CY62148EVLL