容量：8 Mbit (1M x 8)
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　读取访问时间：70ns
　　写入周期时间：1ms（典型值）
　　擦除周期时间：10ms（典型值）
　　编程时间：10μs/字（典型值）
　　待机电流：10mA（最大值）
　　工作电流：50mA（读取模式）

LH28F800SGHE-L70 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于电池供电设备和便携式电子产品。该芯片支持多种操作模式，包括读取模式、待机模式、快速读取模式等，用户可以根据系统需求灵活切换。此外，LH28F800SGHE-L70 还具有内置的写入保护功能，防止意外写入或擦除数据，从而提高系统的可靠性。芯片支持单电源供电，简化了电源设计，降低了系统复杂度。LH28F800SGHE-L70 采用了先进的 CMOS 技术，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于工业环境下的长期运行。其读取访问时间为 70ns，能够满足高速数据访问的需求。此外，芯片内部集成了错误检测和纠正电路，有助于提高数据的完整性。该芯片还支持软件数据保护功能，允许用户通过特定的指令序列来锁定特定的存储区域，防止数据被篡改或损坏。LH28F800SGHE-L70 的擦写次数可达 100,000 次以上，数据保存时间可达 10 年以上，具备良好的耐用性和数据保持能力。

LH28F800SGHE-L70 主要应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信设备、消费类电子产品、医疗设备和汽车电子系统等领域。由于其具备低功耗、高可靠性和灵活的电源管理功能，特别适合用于需要长期稳定运行的系统。例如，在智能电表中，LH28F800SGHE-L70 可以用于存储计量数据和配置信息；在工业控制设备中，可用于存储固件和关键参数；在便携式设备中，其低功耗特性有助于延长电池寿命；在汽车电子系统中，可用于存储车载导航、仪表盘控制等关键数据。此外，该芯片也可用于数据存储、代码存储和固件更新等应用场景。

LH28F800SCHE-L70
　　AM29LV800DB-70RE
　　TC58FV800HBE4-70