类型：Flash Memory
　　容量：8 Mbit
　　组织方式：512 K ×16位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口：并行接口
　　读取电流：典型值20mA
　　待机电流：最大值10mA
　　擦写周期：100,000次
　　数据保持时间：10年

LH28F800BVHE-BTL90(PROG) 是一种高性能的闪存存储器，具备多种优势。首先，其容量为8Mbit，适合存储代码和数据，适用于嵌入式系统的固件存储。其并行接口设计提供了高速的数据访问能力，访问时间仅为90ns，这使得该芯片能够满足对速度要求较高的应用需求。
　　其次，该芯片采用3.3V电源电压供电，具有较低的功耗，同时确保了稳定的工作性能。在待机模式下，其电流消耗仅为10mA，非常适合对功耗敏感的应用场景。此外，该芯片支持高达100,000次的擦写周期，具有较长的使用寿命，并且数据保持时间可达10年，确保了数据的安全性和长期可靠性。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车应用。其封装形式为56引脚TSOP，便于安装和集成到各种电路板设计中，同时提供了良好的散热性能。
　　最后，LH28F800BVHE-BTL90(PROG) 提供了多种保护机制，包括硬件写保护、软件写保护以及VCC检测功能，以防止在电源不稳定时对存储器进行错误写入或擦除操作，从而增强了系统的稳定性与可靠性。

LH28F800BVHE-BTL90(PROG) 适用于多种高性能存储应用。在嵌入式系统中，该芯片常用于存储引导代码、固件和应用程序，确保系统启动的稳定性和快速响应。在工业控制系统中，它被用于存储关键参数和运行数据，支持设备的长期稳定运行。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统、发动机控制单元（ECU）以及车身控制模块，支持高温环境下的可靠数据存储。此外，该芯片也广泛应用于通信设备、医疗设备以及消费类电子产品，提供持久且高效的数据存储解决方案。

Intel StrataFlash Memory J3系列（如JS28F800RHHE）
　　Spansion S29PL系列（如S29PL032J）
　　STMicroelectronics的M29W系列（如M29W800EB）