时间：2025/8/27 20:13:06
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LH28F800BVE-TTL10 是 Intel 公司推出的一款闪存（Flash Memory）芯片，属于其 28F 系列的并行 NOR Flash 存储器。该芯片具有 8MB 的存储容量，适用于嵌入式系统、工业控制设备以及需要非易失性存储的场合。LH28F800BVE-TTL10 支持多种工作电压，具备高可靠性和较长的擦写寿命。
容量：8MB
组织方式：512K x16
电源电压：3.3V 或 5V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
引脚数：56
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行（TTL）
擦写周期：100,000 次
LH28F800BVE-TTL10 是一款高性能的 NOR 型闪存芯片，具备快速访问时间和广泛的工作电压范围，支持 3.3V 和 5V 电源供电，提高了在不同系统设计中的兼容性。该芯片采用并行接口设计，支持高速数据读取，适用于需要频繁访问的嵌入式应用。
此外，LH28F800BVE-TTL10 具备较高的耐用性和数据保持能力，擦写次数可达 100,000 次以上，数据可保持至少 10 年。其封装形式为 TSOP，体积小巧，适合空间受限的设计需求。芯片还支持多种低功耗模式，有助于在便携式或低功耗设备中节省能源。
LH28F800BVE-TTL10 广泛应用于嵌入式系统中，如工业控制器、通信模块、汽车电子设备、手持设备以及需要非易失性代码存储的场合。由于其支持并行接口和高速访问时间，特别适合用于存储启动代码（Boot Code）、固件或常驻内存的程序代码。此外，该芯片也适用于需要长时间数据保存的工业和车载环境。
AM29LV800BB-T120, S29AL008J1TFAI020
