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LH28F800BVE-TTL10 发布时间 时间:2025/8/27 20:13:06 查看 阅读:11

LH28F800BVE-TTL10 是 Intel 公司推出的一款闪存(Flash Memory)芯片,属于其 28F 系列的并行 NOR Flash 存储器。该芯片具有 8MB 的存储容量,适用于嵌入式系统、工业控制设备以及需要非易失性存储的场合。LH28F800BVE-TTL10 支持多种工作电压,具备高可靠性和较长的擦写寿命。

参数

容量:8MB
  组织方式:512K x16
  电源电压:3.3V 或 5V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行(TTL)
  擦写周期:100,000 次

特性

LH28F800BVE-TTL10 是一款高性能的 NOR 型闪存芯片,具备快速访问时间和广泛的工作电压范围,支持 3.3V 和 5V 电源供电,提高了在不同系统设计中的兼容性。该芯片采用并行接口设计,支持高速数据读取,适用于需要频繁访问的嵌入式应用。
  此外,LH28F800BVE-TTL10 具备较高的耐用性和数据保持能力,擦写次数可达 100,000 次以上,数据可保持至少 10 年。其封装形式为 TSOP,体积小巧,适合空间受限的设计需求。芯片还支持多种低功耗模式,有助于在便携式或低功耗设备中节省能源。

应用

LH28F800BVE-TTL10 广泛应用于嵌入式系统中,如工业控制器、通信模块、汽车电子设备、手持设备以及需要非易失性代码存储的场合。由于其支持并行接口和高速访问时间,特别适合用于存储启动代码(Boot Code)、固件或常驻内存的程序代码。此外,该芯片也适用于需要长时间数据保存的工业和车载环境。

替代型号

AM29LV800BB-T120, S29AL008J1TFAI020

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