容量：8 Mbit
　　组织结构：1M x 8
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：10 ns
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：异步并行接口
　　读取电流：典型值 5 mA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供

LH28F800BVB-TTL10 是一款高性能 NOR 型闪存芯片，具有快速访问时间和低功耗的特点。该芯片采用 CMOS 工艺制造，能够在宽电压范围内（2.7V 至 3.6V）稳定工作，适合多种应用场景。其 10 ns 的访问时间确保了在高速系统中也能正常运行。此外，该芯片支持字节模式读取，允许访问单个字节的数据，从而提高系统灵活性。
　　在擦写性能方面，LH28F800BVB-TTL10 支持块擦除和全片擦除功能，擦除操作可以在短时间内完成，并且具备较高的擦写耐久性。其内置的命令寄存器允许通过标准的微处理器接口发送擦除和编程命令，简化了软件控制流程。
　　该芯片还具备自动休眠模式，在不进行操作时可显著降低功耗，适用于对功耗敏感的应用。同时，LH28F800BVB-TTL10 提供了硬件写保护功能，确保关键数据不会被意外修改或擦除。

LH28F800BVB-TTL10 主要用于嵌入式系统中，如工业控制器、通信设备、医疗仪器、消费电子产品中的固件存储等。其高可靠性和非易失性存储特性使其非常适合存储启动代码（Boot Code）、固件（Firmware）以及需要频繁更新的系统数据。此外，由于其支持低功耗模式，该芯片也可应用于便携式设备中。

LH28F800BVB-TTL12, LH28F800BVB-BTTL10