时间：2025/8/29 21:04:58
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LH28F800BGHBBZ2 是一款由 Intel（英特尔）公司推出的高性能闪存（Flash Memory）芯片，属于其早期的闪存产品线之一。该芯片是一款8MB（兆字节）的并行闪存存储器，广泛应用于早期的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及老式主板的BIOS存储中。LH28F800BGHBBZ2 采用5V供电电压，支持标准的并行接口，适用于需要较高稳定性和可靠性的应用场景。该芯片的封装形式为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package），具有较高的集成度和良好的抗干扰能力。虽然目前市场上已有更高容量和更先进接口的闪存产品，但在某些老旧设备或特定工业控制系统中，LH28F800BGHBBZ2 仍然具有一定的使用价值。
容量：8MB
电压：5V
接口类型：并行接口
封装类型：48引脚TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
读取时间：约70ns
擦除/编程电压：5V
存储单元类型：Flash Memory
最大写入/擦除周期：约10万次
LH28F800BGHBBZ2 的主要特性包括其稳定性和兼容性，特别适用于需要长期稳定运行的工业控制系统和老旧设备。其5V供电设计使其能够与多种早期的微控制器和嵌入式系统兼容，同时具备较强的抗干扰能力。该芯片支持标准的并行接口，便于与外部控制器连接，适用于多种应用场景。LH28F800BGHBBZ2 的擦除和编程操作均在5V电压下完成，避免了外部高压电源的需求，提高了系统的可靠性和易用性。
该芯片还具备较高的耐用性，支持多达10万次的擦除/编程周期，能够满足多数工业应用的需求。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，适用于较为严苛的工作环境。LH28F800BGHBBZ2 的48引脚TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于提高设备的长期稳定性。
此外，LH28F800BGHBBZ2 提供了较为快速的读取访问时间（约70ns），能够满足大多数低速或中速应用的需求。尽管其写入和擦除速度相对较慢，但由于其高稳定性和兼容性，它仍然是许多老旧设备和特定工业系统中的理想选择。
LH28F800BGHBBZ2 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及早期计算机主板的BIOS存储。由于其5V供电和标准并行接口的设计，该芯片特别适用于需要与老式微控制器或嵌入式系统兼容的应用场景。例如，在工业自动化控制系统中，LH28F800BGHBBZ2 可用于存储程序代码或关键的系统配置信息；在通信设备中，它可作为固件存储器，用于保存设备启动时所需的初始化代码；在某些老旧的计算机主板中，该芯片则用于存储BIOS固件，确保系统能够正常启动和运行。
此外，LH28F800BGHBBZ2 还可用于一些需要长期稳定运行的设备中，如医疗仪器、测试设备和智能仪表等。在这些应用中，芯片的高可靠性和宽工作温度范围使其能够在较为严苛的环境中保持正常工作。尽管目前市场上已有更高容量、更快速度的串行闪存（如SPI NOR Flash）产品，但在一些特定的老旧设备或工业控制系统中，LH28F800BGHBBZ2 仍然具有不可替代的地位。
AM29F800BB, SST39SF800A, EON29F800B
