时间：2025/8/28 7:39:04
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LH28F800BGHB-BTLZE 是由ROHM（罗姆）半导体公司生产的一款8Mbit（1M x 8）并行接口Flash存储器芯片。该器件专为需要高可靠性和低功耗特性的工业和汽车应用而设计，支持标准的异步SRAM接口，适用于需要快速读写操作的应用场景。
容量：8Mbit（1M x 8）
电压范围：2.7V - 3.6V
访问时间：55ns/70ns可选
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：并行异步接口
读取电流：最大5mA
待机电流：最大3μA
LH28F800BGHB-BTLZE具有高性能和低功耗的特点，能够在宽电压范围内（2.7V至3.6V）正常工作，适应各种电源设计需求。其55ns或70ns的快速访问时间确保了系统在高速读写操作时的稳定性。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了在高温和恶劣环境下的稳定性与可靠性。
此外，LH28F800BGHB-BTLZE支持标准的并行接口，兼容多种主控器设计，便于集成到现有系统中。其低待机电流特性（最大3μA）非常适合需要节能设计的应用，例如便携式设备和电池供电系统。芯片还内置了多种保护机制，包括写保护引脚（WP）和硬件复位功能，以防止误写入和数据损坏。
LH28F800BGHB-BTLZE适用于多种需要非易失性存储器的系统，如工业控制器、车载导航系统、通信模块、智能仪表、POS终端以及嵌入式系统等。其高可靠性和宽温度范围使其特别适合在严苛环境中运行的应用场景。
AM29LV800BB-55RE, S29GL016S10TFR02, M58BW016ECT
