容量：64Mbit (8MB)
　　电压：2.3V 至 3.6V
　　接口类型：并行接口 (x8/x16)
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　擦写次数：10万次
　　数据保存时间：10年
　　封装尺寸：56-TSOP
　　读取电流：典型值10mA
　　待机电流：最大3mA

LH28F640SPHT-PTLZI 的核心特性之一是其高速访问能力，具备55ns的访问时间，可以满足大多数嵌入式系统对启动代码和程序存储的快速读取需求。此外，该器件支持x8和x16两种数据总线宽度模式，提供灵活的接口配置，便于与多种微控制器或处理器平台进行连接。
　　其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，该NOR Flash具有优异的耐用性，支持高达10万次的擦写周期，适合频繁更新数据或代码的应用环境。
　　内置的擦除和写入保护机制增强了数据的安全性，防止意外擦除或写入。此外，LH28F640SPHT-PTLZI 还支持软件和硬件复位功能，确保在异常情况下系统能够可靠重启。
　　该器件采用工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业自动化、车载电子、通信设备等严苛环境下的应用。TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的热稳定性和电气性能，适合高密度PCB布局。

LH28F640SPHT-PTLZI 主要用于各种嵌入式系统，例如工业控制设备、智能仪表、车载导航系统、通信模块、安防监控设备等。其高速读取和低功耗特性使其非常适合用于存储引导代码、固件程序和关键数据。此外，该芯片也常见于需要可靠非易失性存储的医疗设备、测试仪器和消费类电子产品中。

MT28F640J3H-55NP1B4M, S29GL064S10TFR02