LH28F640BFE-PTTL90 是一款由Renesas(原Intersil)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高性能的CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问特性,广泛用于通信设备、工业控制系统和网络设备等对性能和可靠性要求较高的应用场合。该SRAM芯片的容量为64Mbit(8M x 8),采用异步接口设计,适用于需要快速数据访问和低延迟的应用场景。
容量:64 Mbit (8M x 8)
电源电压:3.3V
访问时间:90ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
接口类型:异步
数据宽度:8位
封装引脚数:54
功耗(典型值):100mA(待机模式下为10mA)
读写操作模式:异步读写控制
封装尺寸:约8mm x 20mm
LH28F640BFE-PTTL90 的核心优势在于其高速访问能力和低功耗特性,适合在对数据存取速度有较高要求的系统中使用。其异步接口设计允许其与多种主控芯片无缝连接,而无需额外的时序控制逻辑。此外,该芯片支持多种工作电压容忍度,能够在3.3V±10%范围内稳定工作,适应不同的电源环境。在待机模式下,芯片的电流消耗极低,有助于延长设备的电池续航时间。同时,该芯片具有良好的抗干扰能力和热稳定性,适用于工业级宽温范围内的工作环境。通过采用CMOS工艺技术,LH28F640BFE-PTTL90 在高速运行的同时保持了较低的功耗,是高性能嵌入式系统和通信模块的理想选择。
该芯片还配备了双向数据总线和独立的片选、输出使能控制信号,便于实现复杂的存储管理逻辑。其TSOP封装形式不仅节省空间,而且具有良好的热传导性能,适合高密度PCB布局。
LH28F640BFE-PTTL90 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中,如网络路由器和交换机的数据缓冲器、工业控制器的程序存储器、视频处理设备的帧缓存器、嵌入式系统的主存模块等。此外,该芯片也常见于测试测量设备、医疗成像系统、通信基站模块和高性能消费电子产品中。
LH28F640BF-PTTL90E, CY62148EVLL-45ZE3, IS62WV5128ALLBLL-55D, IDT71V016S,以及美光(Micron)和赛普拉斯(Cypress)系列中的兼容型号。