容量：64 Mbit（8 MB）
　　类型：NOR Flash
　　接口：并行接口
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-TSOP
　　最大读取时间：60ns
　　擦除时间：最大 30ms
　　编程时间：最大 300μs
　　写入保护功能：支持硬件写保护
　　擦除/编程周期：100,000 次

LH28F640BFE-PBTL60芯片具备多项显著的技术特性和性能优势，适用于多种嵌入式应用场景。首先，它具有高达 64 Mbit 的存储容量，能够满足中等规模代码存储和数据存储的需求，适用于固件存储和实时数据记录。其 NOR Flash 结构支持随机访问和快速读取，读取访问时间低至 60ns，确保系统可以高效地执行程序代码。
　　该芯片的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，具备良好的电源适应性，并支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在工业和汽车环境中使用，确保在严苛环境下的稳定性与可靠性。
　　在擦除和编程方面，LH28F640BFE-PBTL60 支持块擦除和字节编程操作，擦除时间最大为 30ms，编程时间最大为 300μs，具备 100,000 次擦除/编程周期的耐久性，适合需要频繁更新数据的应用场景。此外，该芯片还集成了硬件写保护功能，防止误写入和误擦除，提高数据安全性。
　　该器件采用 56-TSOP 封装形式，具有较小的封装体积和良好的热管理能力，适用于高密度 PCB 设计。其并行接口设计便于与各种微控制器和处理器连接，简化了系统集成过程。

LH28F640BFE-PBTL60 主要应用于需要高性能、高可靠性和低功耗的嵌入式系统中。典型的应用包括汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元）、工业自动化控制设备（如 PLC、HMI）、通信设备（如路由器、交换机）、医疗设备（如便携式诊断仪器）以及消费类电子产品（如智能家电和可穿戴设备）。由于其 NOR Flash 架构支持快速代码执行，它特别适合用于存储启动代码（Boot Code）和关键系统固件，确保设备在上电后能够迅速启动并稳定运行。
　　此外，该芯片的硬件写保护功能和高擦写耐久性使其适用于需要频繁更新配置数据或记录运行日志的应用场景。例如，在工业监测系统中，LH28F640BFE-PBTL60 可以用于存储传感器数据、设备状态信息和历史事件记录。在汽车应用中，它可以作为 ECU（电子控制单元）中的非易失性存储单元，用于保存校准参数和故障码信息。

LH28F640BFBE-PBTL60, LH28F640BFHE-PBTL60, S29GL064S10TFI020, M29W640FB5AN6E2