LH28F400BVE-TL85是一款由Renesas Electronics生产的4Mbit(512K x 8/256K x 16)Flash存储器芯片,属于高性能、低电压、非易失性存储器解决方案,适用于需要代码存储和数据保存的应用。该芯片支持多种封装类型和工业级温度范围,适合工业控制、通信设备和汽车电子等应用。
容量:4Mbit
组织结构:512K x 8 / 256K x 16
电源电压:2.7V 至 3.6V
访问时间:85ns(最大)
封装类型:TSOP
温度范围:-40°C 至 +85°C
读取电流:10mA(典型)
待机电流:10μA(最大)
编程/擦除电压:内部电荷泵提供
擦除周期:10,000 次(典型)
数据保持时间:10年(最小)
LH28F400BVE-TL85 Flash存储器具备高性能和低功耗的特点,适用于各种嵌入式系统应用。其主要特性包括:
? 宽电压范围支持(2.7V至3.6V),便于与多种电源管理系统兼容。
? 快速访问时间(85ns)提供高速数据读取能力,适用于对性能要求较高的系统。
? 低功耗设计,待机电流极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
? 支持多种封装形式,便于灵活布局和设计。
? 支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的应用。
? 支持页编程和块/芯片擦除操作,提供灵活的数据管理能力。
? 高可靠性:10万次擦写周期和10年的数据保持能力,确保长期稳定运行。
? 内部电荷泵设计,无需外部高压电源即可完成编程和擦除操作,简化系统电源设计。
? 支持多种操作模式,包括读取、自动编程、自动擦除、待机等,提高系统集成度和操作便利性。
LH28F400BVE-TL85广泛应用于需要可靠非易失性存储解决方案的场合,例如:
? 工业控制系统:用于存储固件、校准数据和配置信息。
? 通信设备:作为Boot ROM或固件存储器,支持设备启动和运行。
? 汽车电子:用于存储车载系统程序、传感器校准数据等。
? 消费类电子产品:如智能家电、可穿戴设备中的固件存储。
? 测试与测量设备:用于存储测量数据和程序代码。
? 医疗设备:用于存储设备配置参数和历史数据。
? 安全监控设备:用于固件和配置数据的存储。
? 嵌入式系统开发平台:作为外部非易失性存储器用于代码和数据存储。
? Intel StrataFlash Memory J3系列(如JS28F400C3BE)
? Cypress Semiconductor S29GL系列Flash存储器
? Macronix MX29LV系列Flash芯片
? Spansion S29AL系列Flash存储器