LH28F160SGED-L10是一款由Intel设计制造的闪存存储器芯片,属于Intel StrataFlash系列,具备高性能和高可靠性的特点。该芯片的存储容量为16MB(兆字节),采用55nm制造工艺,并支持多种操作模式,包括读取、写入、擦除和低功耗模式。该芯片主要用于嵌入式系统、工业控制、通信设备等对存储性能要求较高的应用场景。
容量:16MB
电压:2.7V - 3.6V
访问时间:100ns
接口类型:异步
封装类型:TSOP
引脚数:56
工作温度:-40°C 至 +85°C
LH28F160SGED-L10具备多项先进的闪存技术特性。首先,它支持多级单元(MLC)技术,可以在相同的物理存储单元中存储多个比特的信息,从而提高存储密度并降低成本。其次,该芯片内置了错误校正码(ECC)功能,可以自动检测并纠正数据错误,从而提升数据的可靠性。此外,LH28F160SGED-L10支持快速读取和写入操作,访问时间仅为100ns,满足高速数据处理的需求。在功耗方面,该芯片采用了低功耗设计,支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度睡眠模式,非常适合需要节能的应用场景。另外,该芯片的接口为异步接口,兼容多种微控制器和嵌入式系统的接口标准,方便集成到不同类型的系统中。
为了确保数据的安全性和完整性,LH28F160SGED-L10还支持块保护功能,用户可以选择特定的存储块进行写保护,防止关键数据被意外修改或擦除。此外,该芯片支持软件和硬件复位功能,可以在系统异常时快速恢复芯片的操作状态。最后,LH28F160SGED-L10的封装形式为TSOP,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于各种工业级环境。
LH28F160SGED-L10广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。例如,它被用于工业自动化控制系统,存储关键的程序代码和配置数据,确保设备在恶劣环境中稳定运行。在通信设备领域,该芯片可用于存储固件、协议栈和临时数据,支持高速数据传输和处理。此外,LH28F160SGED-L10也常见于智能家电、医疗设备和汽车电子系统中,用于存储用户设置、设备日志和系统数据。在消费类电子产品中,该芯片也常用于存储操作系统和应用程序代码,为设备提供可靠的非易失性存储解决方案。
LH28F320SGED-L10, LH28F640SGED-L10