时间：2025/8/28 6:00:22
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LH28F160SGED-L10是一款由Intel设计制造的闪存存储器芯片，属于Intel StrataFlash系列，具备高性能和高可靠性的特点。该芯片的存储容量为16MB（兆字节），采用55nm制造工艺，并支持多种操作模式，包括读取、写入、擦除和低功耗模式。该芯片主要用于嵌入式系统、工业控制、通信设备等对存储性能要求较高的应用场景。
容量：16MB
电压：2.7V - 3.6V
访问时间：100ns
接口类型：异步
封装类型：TSOP
引脚数：56
工作温度：-40°C 至 +85°C
LH28F160SGED-L10具备多项先进的闪存技术特性。首先，它支持多级单元（MLC）技术，可以在相同的物理存储单元中存储多个比特的信息，从而提高存储密度并降低成本。其次，该芯片内置了错误校正码（ECC）功能，可以自动检测并纠正数据错误，从而提升数据的可靠性。此外，LH28F160SGED-L10支持快速读取和写入操作，访问时间仅为100ns，满足高速数据处理的需求。在功耗方面，该芯片采用了低功耗设计，支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，非常适合需要节能的应用场景。另外，该芯片的接口为异步接口，兼容多种微控制器和嵌入式系统的接口标准，方便集成到不同类型的系统中。
为了确保数据的安全性和完整性，LH28F160SGED-L10还支持块保护功能，用户可以选择特定的存储块进行写保护，防止关键数据被意外修改或擦除。此外，该芯片支持软件和硬件复位功能，可以在系统异常时快速恢复芯片的操作状态。最后，LH28F160SGED-L10的封装形式为TSOP，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种工业级环境。
LH28F160SGED-L10广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。例如，它被用于工业自动化控制系统，存储关键的程序代码和配置数据，确保设备在恶劣环境中稳定运行。在通信设备领域，该芯片可用于存储固件、协议栈和临时数据，支持高速数据传输和处理。此外，LH28F160SGED-L10也常见于智能家电、医疗设备和汽车电子系统中，用于存储用户设置、设备日志和系统数据。在消费类电子产品中，该芯片也常用于存储操作系统和应用程序代码，为设备提供可靠的非易失性存储解决方案。
LH28F320SGED-L10, LH28F640SGED-L10
