容量：16MB
　　组织方式：1M x16
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：85ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行NOR Flash

LH28F160BVE-TT85 NOR闪存芯片具备多项显著特性，适用于各种高性能嵌入式应用。其主要优势之一是高速访问时间，为85ns，这使得它能够满足对数据读取速度要求较高的应用场景。该芯片支持2.7V至3.6V的宽电压范围，提高了其在不同系统设计中的适应性，并允许其在低功耗环境中稳定运行。此外，该芯片采用TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具有较高的可靠性和耐用性。LH28F160BVE-TT85还支持多种操作模式，包括读取、写入、擦除和编程操作，并具备良好的数据保持能力，即使在极端环境下也能确保数据长期存储的稳定性。
　　这款芯片的另一个关键特性是其支持CE（芯片使能）、OE（输出使能）和WE（写入使能）控制信号，使得其能够灵活地与不同的处理器或控制器接口配合使用。这使得LH28F160BVE-TT85在嵌入式系统中成为一种广泛使用的存储解决方案，尤其是在需要存储引导代码或固件的应用中。同时，该芯片符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），能够适应严苛的工作环境。

LH28F160BVE-TT85 主要用于嵌入式系统的非易失性存储应用，例如作为引导存储器（Boot Flash）用于微控制器或数字信号处理器（DSP）的启动代码存储。它还广泛应用于通信设备（如路由器和交换机）、工业控制设备、测试仪器、消费电子产品以及智能卡终端等场景。由于其具备高速读取性能和工业级温度适应能力，该芯片特别适合对可靠性和稳定性要求较高的工业和通信领域。此外，该芯片也可用于固件更新频繁的设备中，如医疗设备和汽车电子系统。

AM29LV160DB-85RE, S29GL128P11TFR02, M58LV160ABT40C60EA