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LH28F160BJHE-TTLZE 发布时间 时间:2025/8/27 17:22:03 查看 阅读:13

LH28F160BJHE-TTLZE 是英特尔(Intel)生产的一款并行NOR闪存芯片,属于其C3 Flash Memory系列。该器件具有16MB的存储容量,采用56引脚TSOP封装,适用于需要高可靠性和持久存储的应用场景,如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。LH28F160BJHE-TTLZE 支持多种工作模式,包括读取、写入、擦除和低功耗模式,具备较高的耐用性和数据保持能力。

参数

容量:16MB
  电压范围:2.7V - 3.6V
  访问时间:55ns/70ns/90ns(根据型号后缀)
  封装类型:56-TSOP
  接口类型:并行(x8/x16)
  擦除/编程周期:100,000次
  数据保持时间:10年
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

LH28F160BJHE-TTLZE 是一款高性能的非易失性存储器,具有以下显著特性:
  首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备良好的功耗控制能力,在正常工作模式下电流消耗较低,同时支持多种低功耗模式,适用于对功耗敏感的嵌入式应用。
  其次,LH28F160BJHE-TTLZE 支持x8和x16两种数据宽度模式,提供灵活的接口配置选项,方便与不同类型的微控制器或处理器连接。
  该芯片内部集成了错误检测和自动修复机制,提高了数据存储的可靠性,并支持软件和硬件两种写保护方式,防止误擦除或误编程操作。
  此外,它具备高达100,000次的擦写耐久性,数据保存时间可达10年以上,适用于需要频繁更新和长期数据保留的应用场景。
  最后,LH28F160BJHE-TTLZE 工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,能够在恶劣条件下稳定运行。

应用

LH28F160BJHE-TTLZE 通常用于需要高可靠性和稳定性的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信模块、汽车电子系统、医疗仪器以及网络设备。在这些应用中,程序存储、固件更新以及关键数据的持久保存是其主要用途。由于其具备宽温范围和较强的抗干扰能力,LH28F160BJHE-TTLZE 也非常适合用于户外或工业现场环境下的设备中。此外,该芯片还可用于开发基于微控制器的系统,例如工业自动化控制器、智能仪表、嵌入式网关等设备,为系统提供可靠的非易失性存储解决方案。

替代型号

LH28F160BJHF-TTLZ, LH28F160BJE-TTL

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