LH28F160BGHE-BTL12 是一款由Intel制造的非易失性闪存(Flash Memory)芯片,属于LH28F系列。这款芯片设计用于需要高性能、高可靠性和低功耗的应用场景,特别适合嵌入式系统、工业控制设备以及数据存储系统等场合。该器件采用48引脚TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具有较高的存储密度和良好的数据保持能力。
容量:16Mbit(1MB)
电压范围:2.7V - 3.6V
访问时间:120ns(最大)
封装形式:48-TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
接口类型:并行(x8/x16)
擦除周期:100,000次
编程周期:100,000次
数据保持时间:10年
LH28F160BGHE-BTL12 是一款高性能的并行NOR Flash存储器,具有16Mbit的存储容量,支持x8和x16两种数据总线模式,适用于多种嵌入式应用。其工作电压范围为2.7V至3.6V,确保了在不同电源条件下的稳定运行,适合用于电池供电设备和工业控制系统。
该芯片的访问时间为120ns,具备较快的读取速度,能够满足实时系统对数据访问的高要求。其采用CMOS工艺制造,具有低功耗的特点,尤其在待机模式下功耗极低,有助于延长设备的电池寿命。
LH28F160BGHE-BTL12 支持块擦除和页编程操作,擦除和编程的周期均达到100,000次,数据保持时间长达10年,具备出色的耐用性和可靠性。此外,该芯片还具备硬件数据保护功能,能够防止在电源不稳定或系统异常时发生误擦除或误写入操作,从而保护关键数据的安全。
其封装形式为48-TSOP,体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局,同时具备良好的热稳定性和机械强度。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件,广泛用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品中。
LH28F160BGHE-BTL12 主要应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括固件存储、数据日志记录、工业控制器、通信模块、车载导航系统、手持终端设备以及各类智能仪表等。由于其具备良好的温度适应性和数据保持能力,因此也适用于对环境适应性要求较高的工业和汽车电子领域。
LH28F160BFHE-BTL12, LH28F320BFHE-BTL12, AM29LV160DB, MX29LV160