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LH28F128BFHED-PWTLT5 发布时间 时间:2025/8/28 2:52:51 查看 阅读:21

LH28F128BFHED-PWTLT5 是英特尔(Intel)推出的一款闪存芯片,属于其LH28F系列的闪存产品。这款芯片是一款高性能的NOR型闪存,主要用于需要快速读取和可靠存储的应用场景。该器件具有128Mbit(16MB)的存储容量,支持快速的读写操作,适用于工业控制、通信设备、汽车电子和嵌入式系统等领域。LH28F128BFHED-PWTLT5 采用先进的制造工艺,具备良好的耐用性和数据保持能力,能够满足各种高要求的电子系统设计需求。

参数

容量:128Mbit (16MB)
  组织方式:16位数据宽度
  电压范围:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  访问时间:约70ns
  读取电流:典型值10mA
  待机电流:最大10μA
  擦写周期:100,000次以上
  数据保持时间:至少10年

特性

LH28F128BFHED-PWTLT5 是一款高性能的NOR型闪存芯片,具备多种优良特性,适合在要求高可靠性和快速访问的嵌入式系统中使用。
  首先,该芯片具有128Mbit(16MB)的存储容量,采用16位并行数据接口,支持快速的数据读取和随机访问,适用于代码存储和执行(XIP, eXecute In Place)场景,可以显著提升系统的启动速度和运行效率。
  其次,该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,具备良好的电源适应性,适合多种电源设计环境。同时,它支持宽温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业级和汽车级应用场景,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
  在封装方面,LH28F128BFHED-PWTLT5 采用TSOP(薄型小外形封装)形式,体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中使用。其访问时间约为70ns,能够满足高速读取需求。在功耗控制方面,该芯片的待机电流非常低,典型值小于10μA,非常适合低功耗应用设计。
  此外,该闪存芯片支持超过100,000次的擦写周期,数据保持时间可达10年以上,具备优异的耐用性和稳定性。其内置的擦除和编程算法可确保芯片的长期可靠运行。LH28F128BFHED-PWTLT5 还支持软件控制的块擦除功能,用户可以根据需要灵活地管理存储区域。

应用

LH28F128BFHED-PWTLT5 闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中,尤其适用于需要快速启动、代码执行和长期数据存储的场景。
  该芯片常用于工业控制系统中,例如PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)设备以及工业通信模块。这些设备通常需要可靠的非易失性存储器来保存固件、配置数据和程序代码,而LH28F128BFHED-PWTLT5 凭借其高速访问、低功耗和宽温工作特性,能够很好地满足这些需求。
  在通信设备领域,该芯片可用于路由器、交换机、基站模块等设备中,用于存储启动代码、配置信息和通信协议栈。其并行接口设计和高速访问能力有助于提升设备的启动速度和运行效率。
  此外,LH28F128BFHED-PWTLT5 也广泛应用于汽车电子系统,如车载导航系统、仪表盘控制器和车载娱乐系统。由于其支持-40°C至+85°C的工作温度范围,符合AEC-Q100汽车电子可靠性标准,因此非常适合在汽车环境中使用。
  在消费电子领域,该芯片也可用于智能家电、安防摄像头、智能门锁等产品中,用于存储固件和关键数据。

替代型号

LH28F128JF-70T2B4E, LH28F128JF-70T2B4R, LH28F640BFHE-TL, LH28F640BFHE-TP

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