时间：2025/8/28 22:39:34
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LH28F016SCT-L95是一款由Renesas Electronics设计制造的高性能、低功耗闪存存储器芯片。这款芯片属于Renesas的F-RAM（非易失性铁电存储器）产品线，具备快速读写能力、高耐久性以及低功耗特性，适用于对数据存储可靠性要求较高的工业和汽车应用。该器件采用CMOS工艺制造，支持SPI接口，提供16Mbit的存储容量，工作温度范围宽，适合在各种恶劣环境下稳定运行。
存储容量：16Mbit
接口类型：SPI
工作电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
最大时钟频率：40MHz
读取电流（典型值）：5mA（在40MHz）
写入电流（典型值）：10mA
待机电流：1.5μA
擦写次数：10^14次
数据保持时间：10年
封装尺寸：8mm x 14mm
LH28F016SCT-L95的核心优势在于其F-RAM技术所带来的卓越性能。首先，它的读写速度非常快，支持高达40MHz的SPI时钟频率，能够满足高速数据存储的需求。其次，这款芯片具有极高的耐久性，擦写次数高达10^14次，远远高于传统EEPROM和NAND Flash，适合频繁写入的应用场景。
此外，LH28F016SCT-L95在功耗方面表现出色，待机电流仅为1.5μA，适用于电池供电设备或对功耗敏感的系统。由于F-RAM是非破坏性读取技术，读取操作不会导致数据损坏，无需额外的写回操作，从而提高了系统效率。
该芯片还具备优异的数据保持能力，在不供电的情况下可保持数据长达10年，确保长期存储的可靠性。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业控制、汽车电子、智能电表、医疗设备等严苛环境中的数据存储需求。
LH28F016SCT-L95广泛应用于需要高可靠性和高性能非易失性存储器的领域。典型应用场景包括工业自动化设备中的参数配置存储、智能电表和能源管理系统中的数据记录、汽车电子模块中的故障码存储、医疗设备中的校准数据保存、POS终端和安全系统中的交易记录存储等。
由于其低功耗和高耐久性，它也非常适合用于物联网（IoT）设备、边缘计算节点和嵌入式系统中，作为主存储或辅助存储介质。在需要频繁写入且对数据完整性要求极高的系统中，LH28F016SCT-L95是传统EEPROM或NOR Flash的理想替代方案。
FM25V01-QTR、MB85RS2MT、CY15B104Q-SXIT
