容量：8Mbit（1M x 8）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：15ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度：-40℃ 至 +85℃
　　接口类型：并行（x8）
　　写入耐久性：10^14 次/位
　　数据保持时间：10年（无需电源）
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　工艺技术：F-RAM（铁电存储器）

LH28F008SCHT-T15采用先进的F-RAM技术，具备传统SRAM的高速读写性能和Flash的非易失性存储能力。该芯片无需写入延迟，支持即时存储操作，适用于对实时性要求高的应用。其写入耐久性高达10^14次/位，远超传统Flash和EEPROM，支持几乎无限次的数据写入操作，大幅延长设备使用寿命。
　　此外，LH28F008SCHT-T15在掉电后仍能保持数据长达10年，无需备用电源或电容供电，降低了系统设计复杂度和成本。该芯片支持高速并行接口，最大访问时间为15ns，可与多种主控芯片无缝连接，适用于高速缓存、数据日志记录、配置存储等应用。
　　其低功耗特性使其在待机模式下仅消耗极低电流，适用于电池供电或对功耗敏感的设备。该芯片的TSOP封装形式有助于实现高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能和机械稳定性，适合工业和汽车环境使用。

LH28F008SCHT-T15广泛应用于需要高频次、高速非易失性存储的工业控制系统、网络设备、通信模块、汽车电子模块、智能仪表、医疗设备、POS终端、安全系统、数据采集装置等领域。例如，在工业自动化系统中用于实时数据缓存；在车载电子系统中用于事件记录和配置存储；在通信设备中用于配置参数保存和运行日志记录；在智能电表和医疗设备中用于数据存储和断电保护等。

LH28F008SCT-T15、LH28F008SCB-T15、CY14B108E-S15S、FM28V020