时间：2025/8/28 8:08:48
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LH28F008SCHT-L12 是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）公司生产的8位并行接口闪存存储器芯片，属于F-RAM（非易失性铁电存储器）技术的替代产品之一。该芯片具有8Mbit（1M x 8）的存储容量，支持快速读写操作，并具备高可靠性和长使用寿命。LH28F008SCHT-L12广泛应用于需要高速非易失性存储器的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
存储容量：8Mbit（1M x 8）
电源电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
接口类型：并行（8位）
最大读取访问时间：12ns
读取电流：最大15mA（典型值）
待机电流：最大10μA
数据保持时间：最小10年
写入耐久性：10^14 读写周期
LH28F008SCHT-L12具有多项显著的技术特性，使其在非易失性存储器领域具备较强的竞争力。首先，该芯片采用了先进的F-RAM替代技术，不仅具备类似SRAM的高速读写能力，而且在断电后仍能保持数据不丢失。此外，LH28F008SCHT-L12的写入耐久性极高，达到10^14次读写周期，远高于传统Flash存储器，适用于需要频繁写入的应用场景。芯片支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。其并行接口设计支持高速数据传输，适用于对性能有较高要求的系统。此外，该芯片具有宽工作温度范围（-40°C至+85°C），可在工业级环境下稳定运行，适用于各种严苛环境中的应用设备。
LH28F008SCHT-L12适用于多种工业和嵌入式系统的应用场景。在工业自动化领域，它可以用于存储实时数据、配置信息或程序代码，满足频繁读写和高速响应的需求。通信设备中常用于临时数据缓存或配置存储，特别是在需要断电保持数据的场合。在嵌入式系统中，该芯片可用于数据记录、日志存储和高速缓存操作。此外，LH28F008SCHT-L12还广泛应用于测试仪器、医疗设备、智能电表和物联网（IoT）设备中，以确保在断电情况下数据的安全性和完整性。
LH28F008SCBH-L12, LH28F008SCTH-L12, LH28F008SCBF-L12
