LH28F008SCHT-L12 是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)公司生产的8位并行接口闪存存储器芯片,属于F-RAM(非易失性铁电存储器)技术的替代产品之一。该芯片具有8Mbit(1M x 8)的存储容量,支持快速读写操作,并具备高可靠性和长使用寿命。LH28F008SCHT-L12广泛应用于需要高速非易失性存储器的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
存储容量:8Mbit(1M x 8)
电源电压:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
接口类型:并行(8位)
最大读取访问时间:12ns
读取电流:最大15mA(典型值)
待机电流:最大10μA
数据保持时间:最小10年
写入耐久性:10^14 读写周期
LH28F008SCHT-L12具有多项显著的技术特性,使其在非易失性存储器领域具备较强的竞争力。首先,该芯片采用了先进的F-RAM替代技术,不仅具备类似SRAM的高速读写能力,而且在断电后仍能保持数据不丢失。此外,LH28F008SCHT-L12的写入耐久性极高,达到10^14次读写周期,远高于传统Flash存储器,适用于需要频繁写入的应用场景。芯片支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。其并行接口设计支持高速数据传输,适用于对性能有较高要求的系统。此外,该芯片具有宽工作温度范围(-40°C至+85°C),可在工业级环境下稳定运行,适用于各种严苛环境中的应用设备。
LH28F008SCHT-L12适用于多种工业和嵌入式系统的应用场景。在工业自动化领域,它可以用于存储实时数据、配置信息或程序代码,满足频繁读写和高速响应的需求。通信设备中常用于临时数据缓存或配置存储,特别是在需要断电保持数据的场合。在嵌入式系统中,该芯片可用于数据记录、日志存储和高速缓存操作。此外,LH28F008SCHT-L12还广泛应用于测试仪器、医疗设备、智能电表和物联网(IoT)设备中,以确保在断电情况下数据的安全性和完整性。
LH28F008SCBH-L12, LH28F008SCTH-L12, LH28F008SCBF-L12