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LH28F008SAT-ZW 发布时间 时间:2025/8/28 8:15:32 查看 阅读:10

LH28F008SAT-ZW 是一颗由Renesas(原Intersil)推出的8位静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)芯片。该芯片属于高速、低功耗SRAM系列,广泛应用于需要高性能和稳定存储的工业、通信和嵌入式系统中。该SRAM芯片容量为8K x 8位(即64Kbit),具有异步操作能力,适合需要快速数据访问和低延迟的应用场景。

参数

容量:64Kbit(8K x 8位)
  组织结构:x8
  电源电压:3.3V 或 5V(根据具体版本)
  访问时间:约10ns(最快版本)
  封装类型:通常为28引脚SSOP或TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行异步接口
  读写操作:支持异步读写操作
  功耗:低待机电流,典型值小于10mA
  封装尺寸:根据封装类型不同而异

特性

LH28F008SAT-ZW 以其高性能和低功耗特性著称,适用于需要稳定存储的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片支持高速异步访问,访问时间最快可达10ns,这使得它在需要快速响应的应用中表现优异。其并行接口设计允许与多种微处理器和控制器直接连接,减少了外部逻辑电路的需求,简化了系统设计。
  此外,LH28F008SAT-ZW 支持3.3V或5V供电,提高了其在不同系统环境中的兼容性。其低待机电流特性也使其非常适合电池供电或低功耗应用场景。该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在各种恶劣环境条件下仍能稳定工作。
  内部存储单元采用双晶体管双负载(2T2L)结构,提高了稳定性和抗干扰能力。此外,该SRAM具有高噪声抑制能力,确保数据在高频率或复杂电磁环境下仍能保持完整性。封装方面,通常采用28引脚SSOP或TSOP封装,节省PCB空间,适合高密度电路板布局。

应用

LH28F008SAT-ZW SRAM芯片广泛应用于各类嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、数据采集模块、智能仪表、医疗设备、汽车电子系统以及需要高速数据缓存的微控制器系统中。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适合用于临时数据存储、高速缓冲、图形显示缓存以及实时控制应用。在通信设备中,它可以作为协议处理、数据包缓存等用途。在工业自动化系统中,常用于PLC控制器或数据记录仪的临时存储单元。

替代型号

IS61LV256AL-10B4I、CY62148EV30LL、AS6C62256-10LLN、ISSI IS62C25128AL

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LH28F008SAT-ZW参数

  • 产品变化通告Symmetrical Flash Discontinuation 01/Dec/2005
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型FLASH
  • 存储容量8M(1M x 8)
  • 速度85ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳40-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商设备封装40-TSOP
  • 包装托盘
  • 其它名称425-2455LHF08SZW