芯片类型：并行 NOR Flash Memory
　　容量：8 Mbit（1M x 8）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：32 引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　访问时间：12 ns
　　接口类型：标准并行接口（x8）
　　擦写周期：100,000 次
　　数据保留时间：10 年
　　写保护功能：支持硬件写保护（WP# 引脚）
　　省电模式：支持 CMOS 待机模式

LH28F008SAT-12 是一款高性能的并行 NOR Flash 存储器，具备优异的读取性能和可靠性。其 12 ns 的访问时间确保了快速的数据读取能力，适合用于对响应速度有较高要求的应用场景。该芯片支持低电压操作，适用于现代低功耗系统设计，同时兼容 3.3V 和 5V 输入/输出电平，使其在多种系统中都能灵活使用。
　　该芯片的存储单元可承受高达 100,000 次的擦写周期，并在断电情况下可保持数据长达 10 年，满足长期数据存储的需求。LH28F008SAT-12 提供了硬件写保护功能，通过 WP# 引脚可防止对关键代码区域的误写操作，从而提高系统稳定性。
　　此外，该芯片支持 CMOS 待机模式，可大幅降低待机功耗，适用于需要节能设计的应用。其 32 引脚 TSOP 封装结构紧凑，便于在空间受限的 PCB 设计中使用，且具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于工业环境。

LH28F008SAT-12 主要应用于需要可靠、非易失性存储解决方案的嵌入式系统中。例如，它常用于工业控制设备中的固件存储、通信设备中的引导代码存储、汽车电子系统中的配置数据保存，以及消费类电子产品如机顶盒、打印机、路由器等设备中的程序存储。
　　由于其支持低电压操作和省电模式，该芯片也适用于便携式设备和对功耗敏感的应用。LH28F008SAT-12 的高速访问能力和硬件写保护机制使其成为需要稳定运行环境的工业自动化和通信设备中的理想选择。

AM29LV008BT-120WE
　　M58BP008VS1TP
　　S29AL008J1SA103