时间：2025/8/28 8:26:38
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LH28F008BJT-BTLZ1 是一款由Renesas Electronics制造的闪存（Flash Memory）芯片，属于F-RAM（非易失性存储器）系列。该芯片具有8Mbit的存储容量，采用标准的TSOP封装形式，适用于需要高可靠性和低功耗的嵌入式系统应用。它具备快速读写能力，并且支持多种工作电压范围，使其在工业、汽车和消费类电子产品中广泛应用。
容量：8 Mbit
组织结构：1M x8
工作电压：2.7V - 3.6V
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：56
读取电流：10mA（典型值）
待机电流：10μA（最大）
写入耐久性：10^6次擦写周期
数据保留时间：10年（最小）
LH28F008BJT-BTLZ1是一款高性能的非易失性存储器，具有以下显著特性：
首先，该芯片具备低功耗设计，支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。其超低的待机电流确保了在长时间不操作时依然能够维持极低的能耗。
其次，LH28F008BJT-BTLZ1具有出色的写入耐久性，支持高达100万次的擦写周期，远高于传统Flash存储器的性能。这使得它在需要频繁写入数据的应用中表现出色，如日志记录、数据缓存和实时存储等场景。
此外，该芯片具有10年的数据保留能力，确保数据在断电情况下仍能长期保存。其高速访问时间为55ns，能够满足大多数嵌入式系统对快速读取的需求，提升系统响应速度。
在接口方面，该芯片支持标准的异步SRAM接口，与常见的微控制器和嵌入式系统兼容性良好，简化了硬件设计和软件开发过程。
最后，该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境，具备较高的稳定性和可靠性。
LH28F008BJT-BTLZ1广泛应用于多个领域，尤其适合需要高可靠性、低功耗和频繁写入操作的场景。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器节点和数据采集系统中，用于保存实时数据和配置信息。在汽车电子系统中，它可被用于车载记录仪、ECU（电子控制单元）和车载诊断系统，满足汽车工作环境对高稳定性和宽温范围的要求。
此外，该芯片也广泛用于医疗设备，如便携式监测仪和诊断设备，以确保存储关键数据的可靠性和实时性。在消费类电子产品中，如智能家电、穿戴设备和物联网终端，LH28F008BJT-BTLZ1凭借其低功耗和高速访问特性，成为存储用户配置、运行日志和临时数据的理想选择。
由于其支持异步SRAM接口，与主流MCU和嵌入式处理器兼容性良好，因此也适用于需要快速开发和集成的原型设计和工业控制系统。
LH28F008BE-BTTE2, LH28F008BJT-FLZ1, LH28F008BE-TLZ1
