LH2114-20 时间：2025/8/28 3:35:05 阅读：22

LH2114-20 是一款高速双极型1K位（1024位）静态随机存取存储器（SRAM），由Intel公司生产。这款芯片采用20引脚封装，广泛用于需要高速数据存储和访问的场合，例如计算机系统、工业控制系统以及通信设备。LH2114-20的存取速度较快，通常用于缓存或高速存储应用。由于其非易失性不依赖电源，因此在断电后数据不会丢失，但需要持续供电以保持数据有效。

参数

容量：1K位（1024 x 1）
　　电压供应：5V
　　封装类型：20引脚DIP
　　工作温度范围：商业级（0°C至70°C）或工业级（-40°C至85°C）
　　读取时间（tRC）：200ns
　　存取时间（tAA）：200ns
　　输出使能时间（tOE）：90ns
　　芯片使能时间（tCE）：200ns
　　数据保持电流：约120mA（典型值）
　　封装尺寸：约0.3英寸宽度

特性

LH2114-20 SRAM芯片具备高速存取能力，其200ns的访问时间适用于中高速应用环境。该芯片采用双极型晶体管技术，提供稳定的数据存储性能。
　　其1K位的存储容量适合用于小型缓存或关键数据的高速存储。此外，该芯片的封装形式为标准20引脚DIP，便于在各类PCB设计中使用和更换。
　　LH2114-20的工作温度范围涵盖商业级和工业级，确保其在不同环境下具有良好的稳定性与可靠性。低功耗设计虽然在功耗上相较于CMOS较高，但在高速应用中仍能保持合理水平。
　　该芯片具有较短的输出使能时间和芯片使能时间，使得系统在进行数据读取和写入时响应迅速，适用于需要频繁访问的存储应用。
　　此外，LH2114-20支持异步读写操作，无需时钟同步即可进行数据存取，提高了系统设计的灵活性。

应用

LH2114-20 SRAM芯片主要应用于需要高速、小容量存储的场景。例如，在早期的微型计算机和嵌入式系统中，作为高速缓存或暂存关键数据。此外，它也常用于工业控制系统中用于临时存储运行参数和状态信息。
　　在通信设备中，LH2114-20可用于存储临时数据包或处理中的信息，确保数据在传输过程中不会丢失。它也被用于测试设备、测量仪器和自动化控制设备中，作为临时存储器使用。
　　由于其异步读写特性，该芯片在不需要时钟同步的应用中特别有用，如数据缓冲、状态寄存器存储以及实时控制系统的临时存储。
　　在某些特定的航空航天和军事设备中，该芯片的工业级版本可用于在极端温度条件下提供可靠的存储性能。