电容值：22nF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化不超过±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
　　电极材料：内部镍电极，外部端子镀层为Sn（锡）
　　绝缘电阻：≥4000MΩ 或 RC ≥ 1000sec（取较小值）
　　最大厚度：1.25mm
　　包装形式：卷带编带，标准8mm宽度
　　使用寿命：在额定电压和+70°C环境下可稳定运行至少10年

LGY1C223MELB35具备优良的电性能和机械稳定性，特别适合高频和中等电压应用环境。其核心介质材料采用X5R型钡钛酸盐陶瓷，能够在-55°C到+85°C的宽温范围内保持电容值的相对稳定，电容随温度的变化控制在±15%以内，优于通用的Z5U或Y5V类材料，更适合对稳定性要求较高的去耦和滤波电路。该电容器的结构采用多层叠层工艺，通过精密印刷内电极并高温共烧形成一体化陶瓷体，从而实现高比容和小型化设计。在22nF的电容值下仍维持0805的小尺寸，有助于提高PCB布局密度。
　　该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在电源旁路和噪声滤波应用中表现出色，能有效抑制高频噪声并提升系统电磁兼容性（EMC）。此外，由于其非极性特性，适用于交流信号路径中的耦合与隔直。电容器的端电极为三层金属化结构（Ni/Sn），确保了良好的可焊性与抗热冲击能力，在多次回流焊过程中不易开裂或脱落。产品经过严格的湿度敏感等级（MSL 1）测试，可在常温干燥环境中长期储存而不影响焊接质量。
　　松下的制造工艺保证了该型号的一致性和高可靠性，尤其在温度循环、湿度负载和长期偏置条件下表现出较低的电容衰减率。它还符合AEC-Q200标准的部分要求，可用于汽车电子中的非关键部位。虽然X5R材料存在一定的直流偏压效应（DC Bias Effect），即施加接近额定电压的直流偏置时电容值会有所下降，但相比Y5V等材料已显著改善。因此，在设计使用时建议留有一定余量以确保实际工作条件下的性能稳定。

LGY1C223MELB35广泛应用于多种电子系统中，主要用于电源管理模块的输入/输出滤波和去耦。例如，在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入端和输出端并联使用此类电容，可以有效平滑电压波动并降低纹波噪声。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的供电引脚附近，该电容器常作为局部储能元件，快速响应瞬态电流需求，防止因电源跌落导致的逻辑错误或系统复位。此外，它也适用于模拟前端电路中的信号耦合与隔直，特别是在音频处理、传感器接口和ADC/DAC通道中发挥重要作用。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，该电容因其小尺寸和高可靠性被大量采用。工业控制设备、网络通信模块以及家用电器的控制板也普遍使用该型号进行EMI滤波和电源净化。由于其符合RoHS指令且支持无铅焊接工艺，满足现代绿色电子制造的要求。在汽车电子领域，尽管不直接用于动力总成或安全系统的核心部分，但仍可用于车身电子、信息娱乐系统和车载照明等次级电路中，提供稳定的电容支持。此外，医疗电子设备中对长期稳定性和低故障率有较高要求的应用场景也可选用此型号。

GRM21BR71C223KA01L
　　CL21A223KCQNNNE
　　C2012X5R1C223K