时间：2025/5/23 3:28:24
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LGT67F-R2-2-K3-20是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升电路的整体性能。
该型号属于R2系列，其优化设计使其在高温环境下依然保持稳定的工作特性。此外，LGT67F-R2-2-K3-20还具备强大的抗电磁干扰能力，适合复杂电磁环境下的应用。
类型：N沟道增强型
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：14A
导通电阻Rds(on)：0.2Ω
总功耗Ptot：180W
结温范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
LGT67F-R2-2-K3-20采用了最新的硅基材料技术，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 强大的雪崩能量吸收能力，确保在异常工作条件下仍能保持可靠性。
4. 内置保护电路，包括过流保护和热关断功能。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。
该芯片广泛应用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业设备等。
3. 逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 电动工具和汽车电子中的功率控制模块。
5. LED照明驱动电路，提供高效的功率转换方案。
LGT67F-R2-2-K2-20
LGT67G-R2-2-K3-20
IRFP460
