LGT67F-R2-2-K3-20是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提升电路的整体性能。
该型号属于R2系列,其优化设计使其在高温环境下依然保持稳定的工作特性。此外,LGT67F-R2-2-K3-20还具备强大的抗电磁干扰能力,适合复杂电磁环境下的应用。
类型:N沟道增强型
最大漏源电压Vds:650V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大漏极电流Id:14A
导通电阻Rds(on):0.2Ω
总功耗Ptot:180W
结温范围Tj:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
LGT67F-R2-2-K3-20采用了最新的硅基材料技术,具有以下特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能,支持高频应用,减少磁性元件体积。
3. 强大的雪崩能量吸收能力,确保在异常工作条件下仍能保持可靠性。
4. 内置保护电路,包括过流保护和热关断功能。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
6. 具备良好的散热性能,适合高功率密度应用。
该芯片广泛应用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路,用于家用电器、工业设备等。
3. 逆变器系统,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 电动工具和汽车电子中的功率控制模块。
5. LED照明驱动电路,提供高效的功率转换方案。
LGT67F-R2-2-K2-20
LGT67G-R2-2-K3-20
IRFP460