类型：P通道增强型MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：-20V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.1A（在VGS= -4.5V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大85mΩ（在VGS=-4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：7.8nC（典型值，在VGS=-10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：DFN10（3mm x 3mm）

LGP3131-0201具备多项优异特性，适用于高频率和高效率的电源管理应用。其P通道增强型结构提供了良好的导通性能和快速的开关响应，适用于高侧开关和DC-DC转换器等场合。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，其较小的封装尺寸（DFN10，3mm x 3mm）有助于节省PCB空间，适合高密度设计。LGP3131-0201还具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在高负载条件下长时间稳定运行。
　　Littelfuse的先进工艺技术确保了该器件的高性能表现，同时具备良好的抗静电能力（ESD）和过热保护特性。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高开关速度，适用于高频PWM控制。此外，LGP3131-0201的封装设计优化了热传导性能，使得器件在高电流工作时仍能保持较低的温升，延长使用寿命。

LGP3131-0201主要应用于需要高效功率管理的场合，如同步整流、负载开关、电池管理系统、DC-DC转换器、LED驱动电路以及各类便携式电子设备。其低导通电阻和高可靠性的特点也使其适用于服务器电源、工业控制模块、通信设备以及智能电表等应用领域。

LXP3131-0201, IPD3131-0201, FDC6310L