LGE3556 时间：2025/6/22 0:42:19 阅读：5

LGE3556是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率转换场景。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高效率的能量转换。LGE3556支持高频开关操作，同时具备良好的热稳定性和耐久性，适用于多种工业及消费类电子设备。
　　其主要特点在于优化了漏源导通电阻（Rds(on)），从而降低功耗并提升整体系统效率。此外，它还具有较强的雪崩能力和静电防护性能，确保在恶劣环境下的可靠性。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vdss)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：56A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：290W
　　工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220
　　输入电容(Ciss)：1880pF

特性

LGE3556的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高电流处理能力，能够承受高达56A的连续漏极电流。
　　3. 宽泛的工作电压范围，最高可支持60V漏源电压。
　　4. 快速开关速度，适合高频应用场合。
　　5. 良好的热性能，能够有效散热以维持长时间稳定运行。
　　6. 内置保护机制，例如雪崩击穿保护和静电放电(ESD)防护功能。
　　7. 紧凑且坚固的TO-220封装设计，便于安装与维护。

应用

LGE3556适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器的核心功率器件。
　　3. 各种电机驱动电路中的功率控制元件。
　　4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
　　5. LED驱动器中用于电流调节和亮度控制。
　　6. 工业自动化设备中的功率开关。
　　7. 汽车电子系统中的电源管理单元。