LGE3368A-LF-SF是一款基于表面贴装技术(SMT)的功率MOSFET器件,采用LF封装形式。该芯片适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。其设计优化了导通电阻和开关特性,从而提高了效率并降低了功耗。
该型号具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点,同时具备良好的热性能表现,使其能够适应多种严苛的工作环境。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.5mΩ
总栅极电荷:35nC
输入电容:1250pF
工作温度范围:-55℃至175℃
LGE3368A-LF-SF的主要特性包括:
1. 低导通电阻:能够显著降低传导损耗,提升系统整体效率。
2. 高击穿电压:支持高达60V的工作电压,适合各种中低压应用场景。
3. 快速开关速度:较低的总栅极电荷使得器件在高频条件下表现出色。
4. 热增强型封装:通过优化封装设计,有效提升了散热性能。
5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到175℃的操作温度,确保在极端条件下的稳定性。
6. 高可靠性:符合工业级标准,经过严格的质量测试流程,保障长期稳定运行。
该芯片广泛应用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 汽车电子中的负载切换与保护电路
LGE3368A-LF-SF凭借其出色的性能,在上述领域中展现了卓越的价值。
LGE3368A-HF-SF
LGE3368A-MF-SF
IRFZ44N
FDP5570