时间：2025/9/16 15:57:21
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LFCN-190是一种低噪声、高线性度的砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），广泛应用于射频和微波领域的低噪声放大器设计。该器件采用表面贴装封装形式，适合于需要高增益和低噪声系数的高频电路。LFCN-190由制造商M/A-COM推出，专为在2GHz至20GHz频率范围内提供优异的性能而设计。
类型：砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）
封装类型：表面贴装
频率范围：2GHz至20GHz
噪声系数：典型值0.5dB（在12GHz）
增益：典型值14dB（在12GHz）
输出IP3：典型值22dBm（在12GHz）
漏极电流：典型值100mA
工作电压：典型值5V
LFCN-190具有出色的低噪声性能和高增益，使其成为高频应用中的理想选择。其低噪声系数确保了在信号接收端的高灵敏度，适用于雷达、测试仪器、通信系统等对噪声极为敏感的场景。此外，该器件具备良好的线性度和较高的三阶交调截点（IP3），有助于减少信号失真并提升系统的整体动态范围。LFCN-190采用紧凑的表面贴装封装，便于在高密度电路板上使用，同时降低了寄生电感和电容的影响，从而优化了高频下的性能。器件的直流功耗较低，适用于需要高效率的便携式或电池供电设备。
LFCN-190主要应用于射频和微波频段的低噪声放大器设计，常见于通信基础设施（如基站和卫星通信系统）、雷达接收器、频谱分析仪、信号发生器等测试设备以及高性能无线通信设备。该器件也适合用于毫米波和高频信号链中的前置放大器，以提升信号接收的灵敏度和清晰度。
ATF-54143, BGA2707, LNA-190
