LF50CDT-TR 是一款基于硅技术设计的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态过电压的危害。该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线路和高频应用。LF50CDT-TR 的封装形式为 SOD-323,体积小巧,适合高密度电路板设计。
最大反向工作电压:5.8V
击穿电压:6.8V
最大箝位电压:12.4V
峰值脉冲电流:18A
结电容:7pF
响应时间:1ps
漏电流:1μA(最大值,在25℃下)
工作温度范围:-55℃至+150℃
LF50CDT-TR 提供了出色的瞬态电压抑制能力,能够有效保护电路免受各种瞬态过压事件的影响。
其低电容设计使其特别适合用于高速信号线的保护,例如 USB、HDMI 和以太网接口。
该器件采用 SOD-323 封装,具有小尺寸和轻重量的特点,能够满足现代电子产品对空间节省的需求。
LF50CDT-TR 具有非常快的响应时间(1皮秒),可以迅速将过电压箝位到安全水平,从而避免下游电路受到损害。
其工作温度范围宽广(-55℃至+150℃),能够在恶劣环境下可靠运行。
LF50CDT-TR 广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域,具体包括:
1. 高速数据接口(如 USB、HDMI、以太网等)的 ESD 保护。
2. 移动设备(如智能手机、平板电脑)中的天线保护。
3. 工业自动化设备中的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压保护。
5. 网络设备(如路由器、交换机)中的端口保护。
LF50CET-TR, PESD5V0X1BSF, SMAJ5.0A