时间：2025/9/5 0:44:12
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LF10WBR-C1(03) 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的低功耗、高精度运算放大器。该器件专为需要高精度和低漂移的应用而设计，具有极低的输入失调电压和温度漂移特性，适用于各种精密测量和信号调节电路。LF10WBR-C1(03) 采用JFET输入级，提供高输入阻抗和极低的输入偏置电流，使其在高阻抗信号源条件下表现优异。
类型：运算放大器
供电电压：±4.5V 至 ±18V
输入失调电压：最大0.25mV（典型值0.1mV）
输入失调电压漂移：最大3μV/°C
输入偏置电流：最大50pA
输入阻抗：10^12Ω
带宽：1MHz
压摆率：0.25V/μs
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：TO-99金属罐封装
引脚数：8
功耗：典型1.8mA（每通道）
LF10WBR-C1(03) 的核心特性在于其高精度和稳定性。其JFET输入级确保了极低的输入偏置电流（最大50pA），这使得该运算放大器非常适合用于高输入阻抗的电路，如传感器接口和精密测量设备。该器件的输入失调电压最大为0.25mV，并且具有极低的温度漂移性能，最大为3μV/°C，这在温度变化较大的环境中尤为重要。此外，LF10WBR-C1(03) 的高输入阻抗（10^12Ω）进一步提高了其在高阻抗信号源中的性能，减少了信号源对测量精度的影响。该器件的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，适用于工业和军事级应用。其TO-99金属封装不仅提供了良好的热稳定性和机械坚固性，还减少了外部电磁干扰的影响。LF10WBR-C1(03) 的带宽为1MHz，压摆率为0.25V/μs，适用于中低速信号处理应用。
LF10WBR-C1(03) 主要用于需要高精度和稳定性的场合，例如精密仪表、数据采集系统、传感器信号调理电路、医疗设备、测试与测量仪器等。其高输入阻抗和低偏置电流特性使其非常适合用于光电二极管放大、电化学传感器接口、高阻抗信号源缓冲器等应用。此外，该器件的低失调电压和低漂移特性也使其在自动测试设备（ATE）和校准设备中表现出色。由于其TO-99封装的高可靠性，LF10WBR-C1(03) 也常用于航空航天和军事领域的精密电子系统。
LF11WBR-C1, LF15WBR-C1, LF35WBR-C1
