时间:2025/12/26 22:12:06
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LF-H50X是一款高性能霍尔效应传感器,广泛应用于工业自动化、电机控制、汽车电子以及消费类电子产品中。该器件基于霍尔效应原理,能够非接触式地检测磁场变化,并将其转换为电信号输出,具有高灵敏度、高可靠性及良好的温度稳定性。LF-H50X采用先进的CMOS工艺制造,集成信号调理电路、霍尔传感元件和输出驱动模块于一体,支持数字开关量输出,适用于位置检测、转速测量、接近感应等多种场景。该传感器工作电压范围宽,典型值在3.0V至24V之间,适合多种电源环境下的应用。其封装形式通常为SOT-23或类似的三引脚小型化封装,便于在空间受限的PCB设计中使用。
LF-H50X具备较强的抗干扰能力,内置反向电压保护、过压保护和ESD保护机制,能够在恶劣电磁环境中稳定运行。此外,该芯片还优化了功耗表现,支持低功耗待机模式,适用于电池供电设备。其磁极识别能力强,可响应南/北极磁场触发,并可根据具体型号设定为锁存型或单极开关型输出行为。由于其高度集成化设计,外围无需添加额外滤波电容或上拉电阻即可正常工作,简化了系统设计流程,降低了整体BOM成本。
型号:LF-H50X
类型:霍尔效应开关
工作电压:3.0V ~ 24V
输出类型:开漏输出(OD)
感应方式:单极/双极可选
工作电流:≤6mA(典型值)
响应时间:≤1μs
工作温度范围:-40°C ~ +150°C
封装形式:SOT-23-3L
磁敏感度:典型BOP=35Gauss,BRP=25Gauss
回差磁场:≥10Gauss
ESD耐压:±4kV(HBM)
防护等级:集成反接保护、过压保护
LF-H50X的核心特性之一是其卓越的温度稳定性和长期可靠性。该芯片采用高精度霍尔探头与精密偏置电路结合的设计,在-40°C至+150°C的宽温范围内仍能保持稳定的磁响应性能,避免因温度漂移导致误动作。内部集成了动态失调消除技术(Chopper Stabilization),有效抑制了热噪声和机械应力带来的零点漂移问题,显著提升了信噪比和检测精度。这种斩波稳定架构通过周期性切换和平均处理来消除静态误差,使得器件即使在长时间运行下也能维持一致的触发点一致性。
另一个关键特性是其灵活的输出配置与强健的电气保护机制。LF-H50X采用开漏输出结构,允许用户根据系统需求外接上拉电阻至任意兼容电压等级,实现电平匹配功能,适用于3.3V、5V乃至更高电压的逻辑系统。同时,芯片内置了反向电源连接保护功能,防止安装错误导致器件损坏;具备高达24V的输入耐压能力,增强了在工业现场瞬态电压冲击下的生存能力。此外,它通过了严格的ESD测试(人体模型±4kV),确保在生产、装配和使用过程中不会因静电放电而失效。
在响应速度方面,LF-H50X表现出色,典型响应时间小于1微秒,使其非常适合高速旋转物体的测速应用,如无刷直流电机换相控制、编码器反馈等场景。其磁触发阈值经过精确校准,BOP(开启点)典型值为35高斯,BRP(释放点)为25高斯,具备适当的磁滞回差(≥10高斯),有效防止在临界磁场强度附近产生振荡输出,提高系统的稳定性。该器件还支持多种磁极识别模式,部分版本可配置为仅对南极或北极响应,也可设置为交替磁极触发的锁存型行为,满足不同应用场景的需求。
从系统集成角度来看,LF-H50X无需外部滤波电容即可稳定工作,极大简化了外围电路设计,减少了PCB占用面积和物料清单成本。其小型化的SOT-23封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产。综合来看,LF-H50X凭借其高集成度、宽电压适应性、优异的环境适应能力和快速响应特性,成为现代智能感知系统中的理想选择。
LF-H50X广泛应用于多个领域,包括但不限于:无刷直流电机(BLDC)的转子位置检测与换相控制,在此类应用中,多个LF-H50X器件被布置在定子周围,用于实时检测永磁转子的磁场方向,从而精确控制电子换向时序,提升电机效率和运行平稳性;在汽车电子系统中,可用于车门开闭状态检测、座椅位置感应、油门踏板角度测量以及变速箱档位识别等安全相关功能,其高可靠性和宽温特性完全符合AEC-Q100标准要求;在工业自动化领域,常用于接近开关、液位检测、旋转编码器和伺服控制系统中,作为非接触式位置反馈元件;在消费类电子产品中,可用于笔记本电脑翻盖检测、智能家电门盖感应和电动工具启停控制等场景。此外,由于其低功耗特性和小型封装,也适用于便携式设备和物联网终端中的运动状态监测。
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