LESDA5V6AV5T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的单向硅瞬态电压抑制二极管(TVS),用于保护敏感的电子元件免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件采用SOD-523封装,适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板设计。
工作电压: 5.6 V
反向击穿电压: 6.2 V (min), 6.86 V (max)
钳位电压: 9.2 V (max) @ Ipp=7.6A
最大峰值脉冲电流(Ipp): 7.6 A
最大反向漏电流: 10 μA @ VRWM
响应时间: < 1 ns
封装类型: SOD-523
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
LESDA5V6AV5T1G 具有快速响应时间,能够在纳秒级别内响应瞬态电压事件,从而为下游电路提供即时保护。其单向保护结构确保在正常工作电压下保持高阻态,而在电压超过击穿阈值时迅速导通,将瞬态能量引向接地路径,从而保护负载电路。该器件采用了低电容设计,特别适用于高速数据线保护,不会影响信号完整性。LESDA5V6AV5T1G 还具有高可靠性,能够承受多次高能量瞬态冲击而不会性能下降。其SOD-523小封装形式便于在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB接口、HDMI接口等高密度电子产品中使用,节省PCB空间并简化布局设计。此外,该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,适用于工业级和消费类电子产品的电磁兼容性(EMC)设计需求。
在电气性能方面,LESDA5V6AV5T1G 的工作电压为5.6V,反向击穿电压最小值为6.2V,最大值为6.86V,钳位电压最大为9.2V,在峰值脉冲电流7.6A下仍能稳定工作。其最大反向漏电流仅为10μA,保证在正常工作状态下对电路的干扰最小。该TVS二极管还具备优异的钳位性能,能够在瞬态事件中有效限制电压,防止过压损坏后续电路。
LESDA5V6AV5T1G 的封装采用SOD-523标准,具有优良的热稳定性和机械强度,适用于自动贴片和回流焊工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。该器件广泛应用于各类需要瞬态电压保护的场景,特别是在对空间和性能都有较高要求的设计中。
LESDA5V6AV5T1G 主要用于各种便携式电子设备和通信接口的瞬态电压保护。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485和CAN总线接口、消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块、医疗设备以及任何需要静电放电(ESD)和浪涌保护的电子系统。其低电容和高速响应特性使其特别适用于高速数据线路的保护,例如USB、HDMI和DisplayPort等接口,确保信号完整性不受影响。此外,该器件也适用于电源线、电池充电线路和传感器接口的保护,能够有效防止因静电放电、电感负载切换或雷击浪涌引起的损坏。
PESD5V0S1BA, SMAJ5.0A, SMLJ5.0A