类型：ESD保护二极管阵列
　　通道数：2
　　工作电压：3.3V
　　峰值脉冲电流（IPP）：5A（8/20μs）
　　钳位电压（VC）：最大7.5V
　　反向击穿电压（VRWM）：3.3V
　　最大漏电流（IR）：1μA
　　电容（典型值）：15pF
　　封装：SOT-323、SC-70

LESD9D3.3T1G具有多项关键特性，使其成为适用于高速接口和敏感电路的理想选择。其核心特性之一是双向保护能力，能够同时保护两条数据线免受正负方向的瞬态电压影响。器件的钳位电压较低，在5A的峰值电流下仍保持在7.5V以下，从而减少了对下游电路的潜在损害。此外，该器件的电容值仅为15pF，确保在高速信号传输过程中不会引入明显的信号失真或衰减，非常适合USB、HDMI、以太网等高速接口应用。
　　LESD9D3.3T1G的封装形式为SOT-323或SC-70，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，例如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。其低漏电流特性（最大1μA）确保在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响。该器件符合IEC 61000-4-2标准中对静电放电抗扰度的要求，提供高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的保护等级，确保设备在严苛环境中仍能稳定运行。
　　另一个显著优势是其高可靠性。LESD9D3.3T1G能够在极端温度条件下保持稳定性能，适用于工业级工作温度范围（-55°C至+150°C）。其内部结构采用高质量的硅材料和先进的制造工艺，确保在多次ESD事件后仍能维持其电气性能，从而延长设备使用寿命。

LESD9D3.3T1G广泛应用于需要高精度和高速信号保护的电子系统中。它常用于USB接口、HDMI连接器、以太网端口和LCD显示屏等高速数据传输线路的静电放电保护。此外，该器件也适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机和可穿戴设备中的敏感IC和传感器保护。在汽车电子领域，LESD9D3.3T1G可用于车载娱乐系统、导航设备和车载网络接口的防静电设计。工业控制设备和通信模块同样受益于该器件的稳定保护性能，尤其是在存在频繁插拔或暴露于外部环境的应用场景中。

PESD3V3S2BT2G, NUP3301, SMBJ3.3